GJM0335C2AR60WB01D 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,專為高效率、高頻開�(guān)�(yīng)用設(shè)�(jì)。該芯片采用先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工�,具有低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特性,適用于多種電源管理場�,例� DC-DC �(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)動器和電池管理系�(tǒng)等。其封裝形式緊湊,便于在空間受限的應(yīng)用中使用�
型號:GJM0335C2AR60WB01D
類型:N-Channel MOSFET
最大漏源電�(Vds)�60V
最大柵源電�(Vgs):�20V
連續(xù)漏極電流(Id)�35A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�2.8mΩ (典型值,Vgs=10V)
總柵極電�(Qg)�79nC
輸入電容(Ciss)�3440pF
輸出電容(Coss)�650pF
反向傳輸電容(Crss)�110pF
工作溫度范圍�-55� � +175�
封裝形式:TO-247
GJM0335C2AR60WB01D 具有以下顯著特性:
1. 低導(dǎo)通電� (Rds(on)),可有效降低�(dǎo)通損�,提高系�(tǒng)效率�
2. 快速開�(guān)速度,支持高頻工作場�,減少開�(guān)損耗�
3. 高雪崩擊穿能�,增�(qiáng)器件在異常情況下的可靠性�
4. 熱穩(wěn)定性優(yōu)�,在極端溫度條件下仍能保持性能�
5. 封裝�(jiān)固耐用,適合工�(yè)級和汽車級應(yīng)用環(huán)境�
6. �(nèi)部優(yōu)化的柵極�(qū)動設(shè)�(jì),降低電磁干� (EMI) 并提升整體系�(tǒng)性能�
7. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且無鉛�(shè)�(jì)�
GJM0335C2AR60WB01D 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 工業(yè)�(shè)備中� DC-DC �(zhuǎn)換器和逆變器�
2. 電動汽車和混合動力汽車的電池管理系統(tǒng) (BMS) 和電�(jī)�(qū)動器�
3. 太陽能微逆變器和儲能系統(tǒng)�
4. 高功� LED �(qū)動電��
5. 不間斷電� (UPS) 和其他高可靠性電源解決方案�
6. 開關(guān)模式電源 (SMPS) 中的主開�(guān)管或同步整流��
7. 各種需要高效功率轉(zhuǎn)換和控制的場景�
GJM0335C2BR60WB01D, IRF540N, FDP5570N