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GJM0335C2AR60WB01D 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/23 18:36:12 查看 閱讀�16

GJM0335C2AR60WB01D 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,專為高效率、高頻開�(guān)�(yīng)用設(shè)�(jì)。該芯片采用先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工�,具有低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特性,適用于多種電源管理場�,例� DC-DC �(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)動器和電池管理系�(tǒng)等。其封裝形式緊湊,便于在空間受限的應(yīng)用中使用�

參數(shù)

型號:GJM0335C2AR60WB01D
  類型:N-Channel MOSFET
  最大漏源電�(Vds)�60V
  最大柵源電�(Vgs):�20V
  連續(xù)漏極電流(Id)�35A
  �(dǎo)通電�(Rds(on))�2.8mΩ (典型值,Vgs=10V)
  總柵極電�(Qg)�79nC
  輸入電容(Ciss)�3440pF
  輸出電容(Coss)�650pF
  反向傳輸電容(Crss)�110pF
  工作溫度范圍�-55� � +175�
  封裝形式:TO-247

特�

GJM0335C2AR60WB01D 具有以下顯著特性:
  1. 低導(dǎo)通電� (Rds(on)),可有效降低�(dǎo)通損�,提高系�(tǒng)效率�
  2. 快速開�(guān)速度,支持高頻工作場�,減少開�(guān)損耗�
  3. 高雪崩擊穿能�,增�(qiáng)器件在異常情況下的可靠性�
  4. 熱穩(wěn)定性優(yōu)�,在極端溫度條件下仍能保持性能�
  5. 封裝�(jiān)固耐用,適合工�(yè)級和汽車級應(yīng)用環(huán)境�
  6. �(nèi)部優(yōu)化的柵極�(qū)動設(shè)�(jì),降低電磁干� (EMI) 并提升整體系�(tǒng)性能�
  7. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且無鉛�(shè)�(jì)�

�(yīng)�

GJM0335C2AR60WB01D 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 工業(yè)�(shè)備中� DC-DC �(zhuǎn)換器和逆變器�
  2. 電動汽車和混合動力汽車的電池管理系統(tǒng) (BMS) 和電�(jī)�(qū)動器�
  3. 太陽能微逆變器和儲能系統(tǒng)�
  4. 高功� LED �(qū)動電��
  5. 不間斷電� (UPS) 和其他高可靠性電源解決方案�
  6. 開關(guān)模式電源 (SMPS) 中的主開�(guān)管或同步整流��
  7. 各種需要高效功率轉(zhuǎn)換和控制的場景�

替代型號

GJM0335C2BR60WB01D, IRF540N, FDP5570N

gjm0335c2ar60wb01d推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價(jià)

gjm0335c2ar60wb01d參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)貨查看交�
  • �(jià)�15,000 : �0.43585卷帶(TR�
  • 系列GJM
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容0.6 pF
  • 容差±0.05pF
  • 電壓 - 額定100V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 125°C
  • 特�� Q 值,低損�
  • 等級-
  • �(yīng)�RF,微波,高頻
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼0201�0603 公制�
  • 大小 / 尺寸0.024" � x 0.012" 寬(0.60mm x 0.30mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.013"�0.33mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-