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GJM0335C2A2R8BB01J 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/5/29 23:21:29 查看 閱讀:5

GJM0335C2A2R8BB01J 是一款基于氮化鎵(GaN)技術(shù)的功率晶體管,專為高頻和高效率應(yīng)用場(chǎng)景設(shè)計(jì)。該器件采用了先進(jìn)的封裝工藝,具有出色的開關(guān)性能和低導(dǎo)通電阻特性,能夠顯著提升電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的效率和功率密度。
  其主要應(yīng)用領(lǐng)域包括通信電源、數(shù)據(jù)中心供電、工業(yè)電源以及新能源汽車中的DC-DC轉(zhuǎn)換器等。得益于GaN材料的優(yōu)異性能,該器件能夠在高頻條件下保持較低的損耗,同時(shí)支持更高的工作溫度。

參數(shù)

型號(hào):GJM0335C2A2R8BB01J
  類型:增強(qiáng)型氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(eGaN FET)
  額定電壓:650V
  額定電流:40A
  導(dǎo)通電阻:2.0mΩ
  柵極電荷:90nC
  反向恢復(fù)時(shí)間:無(wú)(由于是GaN器件)
  封裝形式:PQFN 8x8mm
  工作溫度范圍:-55℃ 至 +175℃

特性

1. 極低的導(dǎo)通電阻(2.0mΩ),有助于降低導(dǎo)通損耗并提高系統(tǒng)效率。
  2. 高頻開關(guān)能力,適合要求高效率和小型化的電源應(yīng)用。
  3. 內(nèi)置集成保護(hù)功能,包括過(guò)流保護(hù)和短路保護(hù),增強(qiáng)了器件的可靠性。
  4. 使用PQFN 8x8mm封裝,具有良好的散熱性能和緊湊尺寸。
  5. 兼容標(biāo)準(zhǔn)驅(qū)動(dòng)電路,易于替換傳統(tǒng)的硅基MOSFET。
  6. 無(wú)反向恢復(fù)電荷,進(jìn)一步減少了開關(guān)損耗,提升了整體效率。
  7. 支持高溫運(yùn)行環(huán)境,適應(yīng)嚴(yán)苛的工作條件。

應(yīng)用

GJM0335C2A2R8BB01J 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
  1. 數(shù)據(jù)中心和通信設(shè)備中的高效電源模塊。
  2. 新能源汽車的車載充電器(OBC)和DC-DC轉(zhuǎn)換器。
  3. 太陽(yáng)能逆變器和儲(chǔ)能系統(tǒng)的功率轉(zhuǎn)換部分。
  4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的高頻開關(guān)電源。
  5. 消費(fèi)類快充適配器和其他便攜式電子設(shè)備的電源解決方案。
  6. 高功率密度AC-DC和DC-DC轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)。

替代型號(hào)

GJM0335C2A3R8BB01J, GJM0335C2A4R8BB01J

gjm0335c2a2r8bb01j推薦供應(yīng)商 更多>

  • 產(chǎn)品型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

gjm0335c2a2r8bb01j參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量0現(xiàn)貨查看交期
  • 價(jià)格50,000 : ¥0.34808卷帶(TR)
  • 系列*
  • 包裝卷帶(TR)
  • 產(chǎn)品狀態(tài)在售
  • 電容-
  • 容差-
  • 電壓 - 額定-
  • 溫度系數(shù)-
  • 工作溫度-
  • 特性-
  • 等級(jí)-
  • 應(yīng)用-
  • 故障率-
  • 安裝類型-
  • 封裝/外殼-
  • 大小 / 尺寸-
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)-
  • 引線間距-
  • 引線樣式-