GJM0335C2A2R8BB01J 是一款基于氮化鎵(GaN)技術(shù)的功率晶體管,專為高頻和高效率應(yīng)用場(chǎng)景設(shè)計(jì)。該器件采用了先進(jìn)的封裝工藝,具有出色的開關(guān)性能和低導(dǎo)通電阻特性,能夠顯著提升電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的效率和功率密度。
其主要應(yīng)用領(lǐng)域包括通信電源、數(shù)據(jù)中心供電、工業(yè)電源以及新能源汽車中的DC-DC轉(zhuǎn)換器等。得益于GaN材料的優(yōu)異性能,該器件能夠在高頻條件下保持較低的損耗,同時(shí)支持更高的工作溫度。
型號(hào):GJM0335C2A2R8BB01J
類型:增強(qiáng)型氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(eGaN FET)
額定電壓:650V
額定電流:40A
導(dǎo)通電阻:2.0mΩ
柵極電荷:90nC
反向恢復(fù)時(shí)間:無(wú)(由于是GaN器件)
封裝形式:PQFN 8x8mm
工作溫度范圍:-55℃ 至 +175℃
1. 極低的導(dǎo)通電阻(2.0mΩ),有助于降低導(dǎo)通損耗并提高系統(tǒng)效率。
2. 高頻開關(guān)能力,適合要求高效率和小型化的電源應(yīng)用。
3. 內(nèi)置集成保護(hù)功能,包括過(guò)流保護(hù)和短路保護(hù),增強(qiáng)了器件的可靠性。
4. 使用PQFN 8x8mm封裝,具有良好的散熱性能和緊湊尺寸。
5. 兼容標(biāo)準(zhǔn)驅(qū)動(dòng)電路,易于替換傳統(tǒng)的硅基MOSFET。
6. 無(wú)反向恢復(fù)電荷,進(jìn)一步減少了開關(guān)損耗,提升了整體效率。
7. 支持高溫運(yùn)行環(huán)境,適應(yīng)嚴(yán)苛的工作條件。
GJM0335C2A2R8BB01J 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
1. 數(shù)據(jù)中心和通信設(shè)備中的高效電源模塊。
2. 新能源汽車的車載充電器(OBC)和DC-DC轉(zhuǎn)換器。
3. 太陽(yáng)能逆變器和儲(chǔ)能系統(tǒng)的功率轉(zhuǎn)換部分。
4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的高頻開關(guān)電源。
5. 消費(fèi)類快充適配器和其他便攜式電子設(shè)備的電源解決方案。
6. 高功率密度AC-DC和DC-DC轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)。
GJM0335C2A3R8BB01J, GJM0335C2A4R8BB01J