GJM0335C1H2R8BB01D 是一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高效率功率晶體�,專(zhuān)為高頻開(kāi)�(guān)�(yīng)用設(shè)�(jì)。該器件采用了先�(jìn)� GaN-on-Silicon 工藝制�,具有低�(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)特�,適合用� DC-DC �(zhuǎn)換器、開(kāi)�(guān)電源(SMPS�、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及�(wú)�(xiàn)充電等應(yīng)用場(chǎng)景�
由于其卓越的性能,這款晶體管能夠在高頻率下�(shí)�(xiàn)更低的損耗,從而提高系�(tǒng)效率并減少散熱需��
型號(hào):GJM0335C1H2R8BB01D
�(lèi)型:增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(eGaN FET�
材料:氮化鎵(GaN�
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):25 mΩ(典型�,@ Vgs=6V�
擊穿電壓(BVDSS):600 V
柵極電荷(Qg):40 nC
最大漏極電流(Id):30 A
工作溫度范圍�-55°C � +150°C
封裝形式:TO-247-4L
GJM0335C1H2R8BB01D 的主要特性包括:
1. 高擊穿電壓支持高�(dá) 600V 的工作環(huán)�,適用于高壓電源系統(tǒng)�
2. 極低的導(dǎo)通電阻(25mΩ�,顯著降低導(dǎo)通損�,提升整體效率�
3. 快速開(kāi)�(guān)速度,減少開(kāi)�(guān)損�,適合高頻應(yīng)用�
4. �(nèi)置優(yōu)化柵極驅(qū)�(dòng)�(shè)�(jì),簡(jiǎn)化電路設(shè)�(jì),提高可靠��
5. 小尺寸封裝提供更高的功率密度,節(jié)� PCB 空間�
6. 寬工作溫度范圍使其在極端條件下仍能保持穩(wěn)定性能�
該芯片廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. �(kāi)�(guān)電源(Switching Power Supplies, SMPS�
2. 服務(wù)器及通信�(shè)備中的高� DC-DC �(zhuǎn)換器
3. 光伏逆變器和�(chǔ)能系�(tǒng)的功率轉(zhuǎn)換模�
4. 電動(dòng)汽車(chē)(EV)車(chē)載充電器� DC/DC 變換�
5. �(wú)�(xiàn)充電�(fā)射端及接收端功率管理
6. 高頻諧振�?fù)浣Y(jié)�(gòu)� LLC � CLLC �(zhuǎn)換器
GJN0335C1H2R8BB01D, GJM0335C1H3R0BB01D