GJM0335C1H1R8BB01D 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,主要用于高效率電源�(zhuǎn)換和�(kāi)�(guān)�(yīng)�。該器件采用了先�(jìn)的制造工�,具備低�(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)速度的特�(diǎn),適合在高頻、大電流�(huán)境下工作。其封裝形式為行�(yè)�(biāo)�(zhǔn)� TO-263(D2PAK�,具有良好的散熱性能和機(jī)械穩(wěn)定性�
這款芯片廣泛�(yīng)用于 DC-DC �(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)、電池管理系�(tǒng)(BMS�、LED �(qū)�(dòng)以及各種工業(yè)控制�(chǎng)景中,能夠顯著提升系�(tǒng)的整體效率并降低能��
型號(hào):GJM0335C1H1R8BB01D
類型:N-Channel MOSFET
最大漏源電�(Vds)�30V
最大柵極源極電�(Vgs):�20V
連續(xù)漏極電流(Id)�100A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�0.8mΩ (典型�)
總柵極電�(Qg)�45nC
輸入電容(Ciss)�3900pF
輸出電容(Coss)�150pF
�(kāi)�(guān)�(shí)間:�(kāi)啟延遲時(shí)� 25ns,關(guān)斷下降時(shí)� 18ns
�(jié)溫范圍:-55°C � +175°C
封裝形式:TO-263(D2PAK)
GJM0335C1H1R8BB01D 的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電� Rds(on),僅� 0.8mΩ(典型值),這有助于減少�(dǎo)通損耗并提高系統(tǒng)效率�
2. 快速的�(kāi)�(guān)速度,得益于較低的總柵極電荷 Qg 和優(yōu)化的�(nèi)部結(jié)�(gòu),從而支持高頻工作環(huán)境�
3. 大電流承載能�,最大連續(xù)漏極電流可達(dá) 100A,滿足高功率�(yīng)用需��
4. 寬廣的工作溫度范圍(-55°C � +175°C),確保在極端條件下的可靠��
5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無(wú)鉛設(shè)�(jì)�
6. 采用�(jiān)固耐用� TO-263 封裝,提供卓越的熱管理和電氣連接性能�
這些特性使� GJM0335C1H1R8BB01D 成為高效能功率轉(zhuǎn)換電路的理想選擇�
GJM0335C1H1R8BB01D 在以下領(lǐng)域有著廣泛的�(yīng)用:
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)和 DC-DC �(zhuǎn)換器,用于實(shí)�(xiàn)高效的電壓調(diào)節(jié)�
2. 工業(yè)電機(jī)�(qū)�(dòng)和逆變�,提供穩(wěn)定的功率輸出�
3. 電動(dòng)汽車和混合動(dòng)力汽車中的電池管理系�(tǒng)(BMS),用于精確控制電池充放電過(guò)��
4. LED 照明�(qū)�(dòng),確保燈光亮度的一致性和節(jié)能效��
5. 不間斷電源(UPS)和太陽(yáng)能逆變�,助力可再生能源技�(shù)的發(fā)��
6. 各種消費(fèi)類電子設(shè)備中的負(fù)載開(kāi)�(guān)和保�(hù)電路�
憑借其出色的性能,這款 MOSFET 能夠適應(yīng)多種�(fù)雜的�(yīng)用場(chǎng)��
GJM0335C1H1R8BA01D, IRF3710, FDP16N30L