GJM0335C1H1R3BB01D 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,屬于溝道增�(qiáng)� MOSFET 系列。該芯片采用先�(jìn)的制造工藝,具有低導(dǎo)通電�、高�(kāi)�(guān)速度和優(yōu)異的熱性能,適用于各種高效能電源管理應(yīng)�。此型號(hào)廣泛�(yīng)用于 DC-DC �(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)、負(fù)載開(kāi)�(guān)以及其他需要高效功率轉(zhuǎn)換的�(chǎng)��
該器件通過(guò)�(yōu)化的封裝�(shè)�(jì),�(jìn)一步提升了散熱能力和電氣性能,使其能夠在高頻�(kāi)�(guān)條件下保持穩(wěn)定的�(yùn)行狀�(tài)。同�(shí),其卓越的抗靜電能力(ESD)和魯棒性也使得它非常適合嚴(yán)苛的工作�(huán)��
最大漏源電壓:30V
連續(xù)漏極電流�3.9A
�(dǎo)通電阻:1.3mΩ
柵極電荷�24nC
�(kāi)�(guān)�(shí)間:ton=8ns, toff=16ns
工作�(jié)溫范圍:-55°C � +175°C
封裝形式:LFPAK88
GJM0335C1H1R3BB01D 具有以下顯著特性:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),有助于減少傳�(dǎo)損耗并提高系統(tǒng)效率�
2. 高速開(kāi)�(guān)能力,適合高頻操作的�(yīng)用場(chǎng)��
3. 小型化封� LFPAK88 提供了出色的散熱性能和緊湊的�(shè)�(jì)靈活性�
4. �(nèi)� ESD 保護(hù)電路,增�(qiáng)了器件在�(shí)際使用中的可靠性�
5. 支持寬泛的工作溫度范�,適�(yīng)極端�(huán)境下的長(zhǎng)期穩(wěn)定運(yùn)��
6. 出色的熱阻性能保證了在高功率密度條件下的持�(xù)表現(xiàn)�
這款功率 MOSFET 主要用于以下幾�(gè)�(lǐng)域:
1. 通信�(shè)備中� DC-DC �(zhuǎn)換器� POL(Point of Load)穩(wěn)壓模��
2. 筆記本電腦和平板電腦等便攜式電子�(shè)備的電池管理系統(tǒng)�
3. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的電�(jī)�(qū)�(dòng)控制單元�
4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備里的負(fù)載開(kāi)�(guān)和繼電器替代方案�
5. 電動(dòng)汽車和混合動(dòng)力汽車中的輔助電源管理系�(tǒng)�
6. 高效 LED �(qū)�(dòng)器設(shè)�(jì)中的�(guān)鍵組件�
GJM0335C1H1R3BA01D, GJM0335C1H1R3BC01D