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GJM0335C1ER90WB01D 發(fā)布時間 時間�2025/6/6 9:44:49 查看 閱讀�4

GJM0335C1ER90WB01D是一款高性能的功率MOSFET芯片,專為高效率、高頻開�(guān)�(yīng)用設(shè)�。該器件采用先�(jìn)的制造工藝,具備低導(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特�,適合用于電源管理、DC-DC�(zhuǎn)換器、逆變器以及其他需要高效能量轉(zhuǎn)換的�(yīng)用場景。其封裝形式和電氣性能�(jīng)過優(yōu)�,能夠滿足嚴(yán)格的散熱和空間限制要��
  該型號屬于某知名半導(dǎo)體廠商推出的系列功率MOSFET�(chǎn)品之一,主要面向工�(yè)級和消費電子市場�

參數(shù)

類型:N溝道增強型MOSFET
  最大漏源電�(Vds)�60V
  最大柵源電�(Vgs):�20V
  連續(xù)漏極電流(Id)�30A
  �(dǎo)通電�(Rds(on))�1.5mΩ(典型�,Vgs=10V�
  總閘電荷(Qg)�80nC
  開關(guān)速度:非?�?br>  工作溫度范圍�-55℃至+175�
  封裝形式:TO-247

特�

GJM0335C1ER90WB01D具有以下顯著特點�
  1. 極低的導(dǎo)通電阻Rds(on),有助于減少傳導(dǎo)損耗并提高系統(tǒng)效率�
  2. 快速的開關(guān)速度使得其非常適合高頻應(yīng)�,能夠降低開�(guān)損��
  3. 較高的漏極電流能力使其可以承受較大的�(fù)載電流�
  4. 寬廣的工作溫度范圍確保了其在各種�(huán)境下的可靠��
  5. �(nèi)置保�(hù)功能(如過溫保護(hù)和短路保�(hù)),提升了整體系�(tǒng)的安全��
  6. 封裝�(shè)計注重散熱性能,便于集成到緊湊型設(shè)計中�

�(yīng)�

這款功率MOSFET廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)中的主開�(guān)管或同步整流��
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器,包括降�、升壓以及升降壓�?fù)�?br>  3. 電機�(qū)動電路中的功率級控制�
  4. 太陽能逆變器和其他可再生能源系�(tǒng)中的功率�(zhuǎn)換模��
  5. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的�(fù)載開�(guān)或保�(hù)開關(guān)�
  6. 各類工業(yè)自動化設(shè)備中的功率控制單��

替代型號

GJM0335C1ER80WB01D, GJM0335C1ER75WB01D, IRFZ44N, FQP30N06L

gjm0335c1er90wb01d推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

gjm0335c1er90wb01d參數(shù)

  • 特色�(chǎn)�High Frequency - High Q Capacitors
  • �(biāo)�(zhǔn)包裝15,000
  • 類別電容�
  • 家庭陶瓷
  • 系列GJM
  • 電容0.90pF
  • 電壓 - 額定25V
  • 容差±0.05pF
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 工作溫度-55°C ~ 125°C
  • �(yīng)�RF,微�,高�
  • 額定�-
  • 封裝/外殼0201�0603 公制�
  • 尺寸/尺寸0.024" L x 0.012" W�0.60mm x 0.30mm�
  • 高度 - 座高(最大)-
  • 厚度(最大)0.013"�0.33mm�
  • 引線間隔-
  • 特點� Q �,低損�
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 引線�-