GJM0335C1ER90WB01D是一款高性能的功率MOSFET芯片,專為高效率、高頻開�(guān)�(yīng)用設(shè)�。該器件采用先�(jìn)的制造工藝,具備低導(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特�,適合用于電源管理、DC-DC�(zhuǎn)換器、逆變器以及其他需要高效能量轉(zhuǎn)換的�(yīng)用場景。其封裝形式和電氣性能�(jīng)過優(yōu)�,能夠滿足嚴(yán)格的散熱和空間限制要��
該型號屬于某知名半導(dǎo)體廠商推出的系列功率MOSFET�(chǎn)品之一,主要面向工�(yè)級和消費電子市場�
類型:N溝道增強型MOSFET
最大漏源電�(Vds)�60V
最大柵源電�(Vgs):�20V
連續(xù)漏極電流(Id)�30A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�1.5mΩ(典型�,Vgs=10V�
總閘電荷(Qg)�80nC
開關(guān)速度:非?�?br> 工作溫度范圍�-55℃至+175�
封裝形式:TO-247
GJM0335C1ER90WB01D具有以下顯著特點�
1. 極低的導(dǎo)通電阻Rds(on),有助于減少傳導(dǎo)損耗并提高系統(tǒng)效率�
2. 快速的開關(guān)速度使得其非常適合高頻應(yīng)�,能夠降低開�(guān)損��
3. 較高的漏極電流能力使其可以承受較大的�(fù)載電流�
4. 寬廣的工作溫度范圍確保了其在各種�(huán)境下的可靠��
5. �(nèi)置保�(hù)功能(如過溫保護(hù)和短路保�(hù)),提升了整體系�(tǒng)的安全��
6. 封裝�(shè)計注重散熱性能,便于集成到緊湊型設(shè)計中�
這款功率MOSFET廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的主開�(guān)管或同步整流��
2. DC-DC�(zhuǎn)換器,包括降�、升壓以及升降壓�?fù)�?br> 3. 電機�(qū)動電路中的功率級控制�
4. 太陽能逆變器和其他可再生能源系�(tǒng)中的功率�(zhuǎn)換模��
5. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的�(fù)載開�(guān)或保�(hù)開關(guān)�
6. 各類工業(yè)自動化設(shè)備中的功率控制單��
GJM0335C1ER80WB01D, GJM0335C1ER75WB01D, IRFZ44N, FQP30N06L