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GJM0335C1E8R0DB01D 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/6/5 9:20:03 查看 閱讀�7

GJM0335C1E8R0DB01D 是一種基于氮化鎵 (GaN) 技�(shù)的高電子遷移率晶體管 (HEMT),專為高�、高功率�(yīng)用而設(shè)�(jì)。該器件采用先�(jìn)的封裝技�(shù),能夠提供卓越的開關(guān)性能和高效率,在射頻和功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域表�(xiàn)出色�
  該型�(hào)屬于 GaN 系列�(chǎn)�,其�(shè)�(jì)旨在滿足�(xiàn)代通信系統(tǒng)對高頻率和高效能的需�。它具有低導(dǎo)通電阻和快速開�(guān)速度的特�(diǎn),同�(shí)在高溫環(huán)境下也能保持�(wěn)定的工作狀�(tài)�

參數(shù)

型號(hào):GJM0335C1E8R0DB01D
  類型:GaN HEMT
  工作電壓�200V
  最大電流:10A
  �(dǎo)通電阻:80mΩ
  柵極電荷�30nC
  熱阻�0.5°C/W
  封裝形式:TO-247-4L

特�

GJM0335C1E8R0DB01D 的主要特�(diǎn)是其采用了氮化鎵材料,這種材料相較于傳�(tǒng)硅基器件具有更高的擊穿電場和更好的熱�(dǎo)性能。此�,這款芯片具備以下特性:
  - 低導(dǎo)通電阻:有助于降低功耗并提高整體效率�
  - 高開�(guān)頻率:適合高頻應(yīng)用場�,例如無線通信中的功率放大��
  - 快速開�(guān)速度:減少開�(guān)損耗,提升�(dòng)�(tài)性能�
  - 良好的溫度穩(wěn)定性:能夠在較寬的溫度范圍�(nèi)保持�(wěn)定的性能表現(xiàn)�
  - 小型化設(shè)�(jì):得益于先�(jìn)的制造工藝,其尺寸更小但性能更強(qiáng)�

�(yīng)�

GJM0335C1E8R0DB01D 廣泛�(yīng)用于需要高性能和高效率的領(lǐng)�,包括但不限于:
  - 射頻功率放大器:用于 5G 基站和其他無線通信�(shè)備中,以�(shí)�(xiàn)高效的信�(hào)傳輸�
  - DC-DC �(zhuǎn)換器:在電源管理系統(tǒng)�,提供更快的響應(yīng)�(shí)間和更高的能量轉(zhuǎn)換效��
  - 工業(yè)�(qū)�(dòng):如電機(jī)控制�,可以支持更高的工作頻率和更低的能��
  - 可再生能源逆變器:例如太陽能逆變�,利用其高效開關(guān)能力將直流電�(zhuǎn)換為交流��
  - 充電器和適配器:適用于消�(fèi)類電子產(chǎn)品快充解決方�,縮短充電時(shí)��

替代型號(hào)

GJM0335C1E8R0DB02D, GJM0335C1E8R0DB03D

gjm0335c1e8r0db01d推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

gjm0335c1e8r0db01d參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)貨查看交�
  • �(jià)�30,000 : �0.04729卷帶(TR�
  • 系列GJM
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容8 pF
  • 容差±0.5pF
  • 電壓 - 額定25V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 125°C
  • 特�� Q �,低損�
  • 等級(jí)-
  • �(yīng)�RF,微�,高�
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝�
  • 封裝/外殼0201�0603 公制�
  • 大小 / 尺寸0.024" � x 0.012" 寬(0.60mm x 0.30mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.013"�0.33mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-