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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > GD5F4GM8UEYIGY

GD5F4GM8UEYIGY 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/15 15:10:48 查看 閱讀�14

GD5F4GM8UEYIGY是兆易創(chuàng)新(GigaDevice)推出的一款高性能、低功耗的SPI NOR Flash存儲(chǔ)芯片,廣泛應(yīng)用于需要高可靠性和快速讀�(xiě)性能的場(chǎng)景。該系列芯片采用先�(jìn)的制程工�,具有大容量存儲(chǔ)、高速數(shù)�(jù)傳輸以及多種工作模式的特�(diǎn),適用于物聯(lián)�(wǎng)�(shè)�、消�(fèi)電子、通信�(shè)備及工業(yè)控制等領(lǐng)域�

參數(shù)

存儲(chǔ)容量�512Mb
  接口類型:SPI
  工作電壓�2.7V~3.6V
  工作溫度范圍�-40℃~+85�
  封裝形式:WLCSP-8(1.6mm x 2.0mm)
  �(shù)�(jù)傳輸速率:高�(dá)133MHz (在Quad SPI模式�)
  擦除�(shí)間:典型�2.5s (整片擦除)
  編程�(shí)間:典型�30us/�(yè)
  使用壽命:擦�(xiě)周期超過(guò)10�(wàn)�
  �(shù)�(jù)保存�(shí)間:大于20�

特�

GD5F4GM8UEYIGY支持�(biāo)�(zhǔn)SPI、Dual SPI和Quad SPI等多種操作模�,能夠滿足不同應(yīng)用場(chǎng)景下的靈活性需��
  該芯片內(nèi)置了多種高級(jí)功能,如可配置的上電保護(hù)、靈活的扇區(qū)保護(hù)�(jī)制和唯一ID�(shí)別功�,從而提升了系統(tǒng)的安全性和可靠��
  其低功耗設(shè)�(jì)使其非常適合電池供電�(shè)�,并且通過(guò)�(yōu)化待�(jī)和深度掉電模式�(jìn)一步降低了能耗�
  此外,GD5F4GM8UEYIGY還具備強(qiáng)大的抗干擾能�,能夠在�(fù)雜電磁環(huán)境下保持�(wěn)定運(yùn)��

�(yīng)�

GD5F4GM8UEYIGY因其卓越的性能被廣泛應(yīng)用于嵌入式系�(tǒng)中的代碼存儲(chǔ)和數(shù)�(jù)記錄任務(wù)�
  常見(jiàn)的應(yīng)用領(lǐng)域包括但不限于:
  - 智能家居控制器和物聯(lián)�(wǎng)終端�(shè)�
  - 可穿戴設(shè)備和便攜式醫(yī)療儀�
  - 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備和�(yuǎn)程監(jiān)控系�(tǒng)
  - �(chē)載信息娛�(lè)系統(tǒng)和導(dǎo)航模�
  - 各類消費(fèi)類電子產(chǎn)�,如平板電腦和智能音箱等

替代型號(hào)

GD25Q64C, MX25L6406E, IS25LP064A

gd5f4gm8ueyigy推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)