GCQ1555C1HR70DB01D 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,廣泛應(yīng)用于電源管理、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及各類開關(guān)電路�。該器件采用了先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工藝,具有較低的導(dǎo)通電阻和快速的開關(guān)速度,能夠在高頻�(yīng)用場(chǎng)合提供高效的性能表現(xiàn)�
該芯片適用于高電�、大電流的工作環(huán)�,同�(shí)具備良好的熱�(wěn)定性和抗干擾能�,適合工�(yè)�(jí)及消�(fèi)�(jí)電子�(chǎn)品的�(shè)�(jì)需求�
型號(hào):GCQ1555C1HR70DB01D
類型:N-Channel Enhancement Mode MOSFET
最大漏源電�(Vds)�70V
最大柵源電�(Vgs):�20V
最大連續(xù)漏極電流(Id)�30A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�4.5mΩ (典型�,Vgs=10V)
功�(Ptot)�150W
工作溫度范圍�-55� � +175�
封裝形式:TO-247
GCQ1555C1HR70DB01D 的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電� Rds(on),有助于降低功率損耗并提高整體效率�
2. 快速的開關(guān)速度和較小的柵極電荷 Qg,確保在高頻條件下保持高效性能�
3. 較高的雪崩能量承受能�,增�(qiáng)了器件的耐用性�
4. �(nèi)置過溫保�(hù)功能,提升系�(tǒng)可靠��
5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且�(wú)��
6. �(yōu)異的熱性能,能夠適�(yīng)高功率密度的�(yīng)用場(chǎng)��
該芯片可廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS) � DC-DC �(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)�
2. 電動(dòng)工具和家用電器的電機(jī)�(qū)�(dòng)控制�
3. 太陽(yáng)能逆變器和不間斷電�(UPS) 系統(tǒng)�
4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載切換和保護(hù)�
5. 高效 LED �(qū)�(dòng)器的�(shè)�(jì)與實(shí)�(xiàn)�
6. 汽車電子中的直流電機(jī)控制和電池管理系�(tǒng)(BMS)�
IRFZ44N
STP30NF7
FDP18N70