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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > GCQ1555C1HR70DB01D

GCQ1555C1HR70DB01D 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/6/5 9:21:37 查看 閱讀�7

GCQ1555C1HR70DB01D 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,廣泛應(yīng)用于電源管理、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及各類開關(guān)電路�。該器件采用了先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工藝,具有較低的導(dǎo)通電阻和快速的開關(guān)速度,能夠在高頻�(yīng)用場(chǎng)合提供高效的性能表現(xiàn)�
  該芯片適用于高電�、大電流的工作環(huán)�,同�(shí)具備良好的熱�(wěn)定性和抗干擾能�,適合工�(yè)�(jí)及消�(fèi)�(jí)電子�(chǎn)品的�(shè)�(jì)需求�

參數(shù)

型號(hào):GCQ1555C1HR70DB01D
  類型:N-Channel Enhancement Mode MOSFET
  最大漏源電�(Vds)�70V
  最大柵源電�(Vgs):�20V
  最大連續(xù)漏極電流(Id)�30A
  �(dǎo)通電�(Rds(on))�4.5mΩ (典型�,Vgs=10V)
  功�(Ptot)�150W
  工作溫度范圍�-55� � +175�
  封裝形式:TO-247

特�

GCQ1555C1HR70DB01D 的主要特性包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電� Rds(on),有助于降低功率損耗并提高整體效率�
  2. 快速的開關(guān)速度和較小的柵極電荷 Qg,確保在高頻條件下保持高效性能�
  3. 較高的雪崩能量承受能�,增�(qiáng)了器件的耐用性�
  4. �(nèi)置過溫保�(hù)功能,提升系�(tǒng)可靠��
  5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且�(wú)��
  6. �(yōu)異的熱性能,能夠適�(yīng)高功率密度的�(yīng)用場(chǎng)��

�(yīng)�

該芯片可廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS) � DC-DC �(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)�
  2. 電動(dòng)工具和家用電器的電機(jī)�(qū)�(dòng)控制�
  3. 太陽(yáng)能逆變器和不間斷電�(UPS) 系統(tǒng)�
  4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載切換和保護(hù)�
  5. 高效 LED �(qū)�(dòng)器的�(shè)�(jì)與實(shí)�(xiàn)�
  6. 汽車電子中的直流電機(jī)控制和電池管理系�(tǒng)(BMS)�

替代型號(hào)

IRFZ44N
  STP30NF7
  FDP18N70

gcq1555c1hr70db01d推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

gcq1555c1hr70db01d參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)貨查看交�
  • �(jià)�10,000 : �0.18949卷帶(TR�
  • 系列GCQ
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容0.7 pF
  • 容差±0.5pF
  • 電壓 - 額定50V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 125°C
  • 特�-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • �(yīng)�RF,微波,高頻,汽車級(jí)
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼0402�1005 公制�
  • 大小 / 尺寸0.039" �(zhǎng) x 0.020" 寬(1.00mm x 0.50mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.022"�0.55mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-