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GCQ1555C1H6R9CB01D 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/5/29 23:16:44 查看 閱讀：7

GCQ1555C1H6R9CB01D是一款高性能的功率MOSFET器件，適用于高頻開(kāi)關(guān)電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器和電機(jī)驅(qū)動(dòng)等應(yīng)用領(lǐng)域。該芯片采用了先進(jìn)的制造工藝，具備低導(dǎo)通電阻、高開(kāi)關(guān)速度和優(yōu)異的熱性能，能夠顯著提高系統(tǒng)的效率和可靠性。
　　其封裝形式為行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的表面貼裝類型，便于自動(dòng)化生產(chǎn)和散熱管理。此外，該器件具有出色的耐壓能力和抗浪涌能力，非常適合在嚴(yán)苛的工作環(huán)境下使用。

參數(shù)

最大漏源電壓：60V
　　連續(xù)漏極電流：30A
　　導(dǎo)通電阻：2.5mΩ
　　柵極電荷：45nC
　　開(kāi)關(guān)頻率：1MHz
　　工作溫度范圍：-55℃至175℃
　　封裝形式：TO-263

特性

1. 極低的導(dǎo)通電阻，可有效降低傳導(dǎo)損耗，提升整體系統(tǒng)效率。
　　2. 高速開(kāi)關(guān)性能，支持高達(dá)1MHz的開(kāi)關(guān)頻率，適合高頻應(yīng)用需求。
　　3. 內(nèi)置ESD保護(hù)電路，增強(qiáng)芯片的靜電防護(hù)能力，提高產(chǎn)品可靠性。
　　4. 優(yōu)秀的熱穩(wěn)定性，即使在高溫條件下也能保持穩(wěn)定的電氣性能。
　　5. 封裝緊湊且易于安裝，滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)小型化設(shè)計(jì)的要求。
　　6. 支持寬泛的工作溫度范圍，適應(yīng)各種極端環(huán)境下的應(yīng)用需求。

應(yīng)用

該芯片廣泛應(yīng)用于各類電力電子領(lǐng)域，包括但不限于以下場(chǎng)景：
　　1. 開(kāi)關(guān)電源（SMPS）中的主開(kāi)關(guān)管或同步整流管。
　　2. DC-DC轉(zhuǎn)換器中的功率開(kāi)關(guān)元件。
　　3. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中的功率級(jí)控制。
　　4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載切換控制。
　　5. 電池管理系統(tǒng)（BMS）中的充放電路徑管理。
　　6. 汽車電子系統(tǒng)中的直流電機(jī)控制和逆變器設(shè)計(jì)。

替代型號(hào)

IRF540N
　　AO3400
　　FDP5512
　　STP36NF06L

gcq1555c1h6r9cb01d推薦供應(yīng)商 更多>

  • 產(chǎn)品型號(hào)
  • 供應(yīng)商
  • 數(shù)量
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

gcq1555c1h6r9cb01d參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量0現(xiàn)貨查看交期
  • 價(jià)格10,000 : ￥0.22884卷帶（TR）
  • 系列GCQ
  • 包裝卷帶（TR）
  • 產(chǎn)品狀態(tài)在售
  • 電容6.9 pF
  • 容差±0.25pF
  • 電壓 - 額定50V
  • 溫度系數(shù)C0G，NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 125°C
  • 特性-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • 應(yīng)用RF，微波，高頻，汽車級(jí)
  • 故障率-
  • 安裝類型表面貼裝，MLCC
  • 封裝/外殼0402（1005 公制）
  • 大小 / 尺寸0.039" 長(zhǎng) x 0.020" 寬（1.00mm x 0.50mm）
  • 高度 - 安裝（最大值）-
  • 厚度（最大值）0.022"（0.55mm）
  • 引線間距-
  • 引線樣式-