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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > GCQ1555C1H3R6CB01D

GCQ1555C1H3R6CB01D 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/6/5 9:24:11 查看 閱讀�8

GCQ1555C1H3R6CB01D 是一款高性能的射� (RF) 功率放大器芯�,廣泛應(yīng)用于�(wú)線通信�(lǐng)�,特別是� 4G � 5G 基站、遠(yuǎn)程射頻單� (RRU) 等場(chǎng)景中。該芯片采用先�(jìn)� GaN(氮化鎵)技�(shù)制造,具有高效�、高線性度和寬頻率范圍等特�。其封裝形式為小型化的陶瓷封�,能夠有效降低寄生效�(yīng)并提升散熱性能�
  這款功率放大器在高頻段表�(xiàn)出色,支持多種調(diào)制方�,并具備良好的增益穩(wěn)定�。它適用于需要高輸出功率和低功耗的�(yīng)用場(chǎng)��

參數(shù)

型號(hào):GCQ1555C1H3R6CB01D
  工作頻率范圍�2.1GHz � 2.7GHz
  飽和輸出功率�45dBm
  增益�15dB
  效率�50%
  電源電壓�28V
  靜態(tài)電流�6A
  輸入匹配阻抗�50Ω
  輸出匹配阻抗�50Ω
  封裝形式:陶瓷封�
  工作溫度范圍�-40� � +85�

特�

1. 采用 GaN 技�(shù),提供更高的功率密度和效�,相比傳�(tǒng) LDMOS 技�(shù)更加�(yōu)��
  2. 寬帶�(shè)�(jì)使其能夠覆蓋多�(gè)頻段,減少系�(tǒng)�(fù)雜��
  3. 高線性度支持�(fù)雜的�(shù)字調(diào)制信�(hào),例� OFDM � QAM�
  4. �(nèi)置保�(hù)電路,包括過(guò)熱保�(hù)、過(guò)流保�(hù)以及�(fù)載失配保�(hù),確保長(zhǎng)期穩(wěn)定運(yùn)��
  5. 小型化封裝設(shè)�(jì),適合緊湊型�(shè)備應(yīng)�,同�(shí)提供出色的散熱能��
  6. 支持多種偏置模式,便于用戶根�(jù)�(shí)際需求優(yōu)化性能�

�(yīng)�

GCQ1555C1H3R6CB01D 主要�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 4G LTE � 5G NR 基站中的射頻功率放大模塊�
  2. �(yuǎn)程射頻單� (RRU) 中的功率放大��
  3. 微波�(diǎn)�(duì)�(diǎn)通信系統(tǒng)中的功率放大器�
  4. 軍用及民用雷�(dá)系統(tǒng)的發(fā)射機(jī)功率放大��
  5. 其他需要高功率、高效率和高線性度的無(wú)線通信�(shè)��

替代型號(hào)

GCQ1555C1H3R6CB02D, GCQ1555C1H3R6CB03D

gcq1555c1h3r6cb01d推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

gcq1555c1h3r6cb01d參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�9,629�(xiàn)�
  • �(jià)�1 : �1.67000剪切帶(CT�10,000 : �0.28376卷帶(TR�
  • 系列GCQ
  • 包裝卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容3.6 pF
  • 容差±0.25pF
  • 電壓 - 額定50V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 125°C
  • 特�-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • �(yīng)�RF,微�,高頻,汽車�(jí)
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼0402�1005 公制�
  • 大小 / 尺寸0.039" �(zhǎng) x 0.020" 寬(1.00mm x 0.50mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.022"�0.55mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-