GCQ1555C1H3R6CB01D 是一款高性能的射� (RF) 功率放大器芯�,廣泛應(yīng)用于�(wú)線通信�(lǐng)�,特別是� 4G � 5G 基站、遠(yuǎn)程射頻單� (RRU) 等場(chǎng)景中。該芯片采用先�(jìn)� GaN(氮化鎵)技�(shù)制造,具有高效�、高線性度和寬頻率范圍等特�。其封裝形式為小型化的陶瓷封�,能夠有效降低寄生效�(yīng)并提升散熱性能�
這款功率放大器在高頻段表�(xiàn)出色,支持多種調(diào)制方�,并具備良好的增益穩(wěn)定�。它適用于需要高輸出功率和低功耗的�(yīng)用場(chǎng)��
型號(hào):GCQ1555C1H3R6CB01D
工作頻率范圍�2.1GHz � 2.7GHz
飽和輸出功率�45dBm
增益�15dB
效率�50%
電源電壓�28V
靜態(tài)電流�6A
輸入匹配阻抗�50Ω
輸出匹配阻抗�50Ω
封裝形式:陶瓷封�
工作溫度范圍�-40� � +85�
1. 采用 GaN 技�(shù),提供更高的功率密度和效�,相比傳�(tǒng) LDMOS 技�(shù)更加�(yōu)��
2. 寬帶�(shè)�(jì)使其能夠覆蓋多�(gè)頻段,減少系�(tǒng)�(fù)雜��
3. 高線性度支持�(fù)雜的�(shù)字調(diào)制信�(hào),例� OFDM � QAM�
4. �(nèi)置保�(hù)電路,包括過(guò)熱保�(hù)、過(guò)流保�(hù)以及�(fù)載失配保�(hù),確保長(zhǎng)期穩(wěn)定運(yùn)��
5. 小型化封裝設(shè)�(jì),適合緊湊型�(shè)備應(yīng)�,同�(shí)提供出色的散熱能��
6. 支持多種偏置模式,便于用戶根�(jù)�(shí)際需求優(yōu)化性能�
GCQ1555C1H3R6CB01D 主要�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 4G LTE � 5G NR 基站中的射頻功率放大模塊�
2. �(yuǎn)程射頻單� (RRU) 中的功率放大��
3. 微波�(diǎn)�(duì)�(diǎn)通信系統(tǒng)中的功率放大器�
4. 軍用及民用雷�(dá)系統(tǒng)的發(fā)射機(jī)功率放大��
5. 其他需要高功率、高效率和高線性度的無(wú)線通信�(shè)��
GCQ1555C1H3R6CB02D, GCQ1555C1H3R6CB03D