GCQ1555C1H3R2BB01D是一款高性能的功率MOSFET芯片,廣泛應用于開關(guān)電源、電機驅(qū)�、逆變器等場景。該器件采用先進的制造工�,具備低導通電阻和高效率的特點,能夠在高頻開關(guān)條件下提供卓越的性能表現(xiàn)�
該型號屬于溝道型MOSFET系列,主要設(shè)計用于降低功耗并提高系統(tǒng)的整體效�。其封裝形式為行�(yè)標準的DFN8�2x2mm),體積小巧,非常適合對空間要求較高的應用環(huán)��
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�4.9A
導通電阻:2.2mΩ
柵極電荷�16nC
工作溫度范圍�-55℃至175�
封裝形式:DFN8�2x2mm�
GCQ1555C1H3R2BB01D的核心優(yōu)勢在于其超低的導通電�,僅�2.2毫歐,這極大地減少了功率損�,特別是在高電流應用場景中。此�,其小型化的封裝�(shè)計使其成為緊湊型�(shè)計的理想選擇�
該器件還具有快速開�(guān)速度,能夠有效減少開�(guān)損耗,并支持高達數(shù)兆赫茲的工作頻率。內(nèi)置的ESD保護功能增強了產(chǎn)品的可靠性,同時其寬泛的工作溫度范圍�-55℃至175℃)確保了在極端條件下的�(wěn)定��
此外,這款MOSFET具備出色的熱性能,通過�(yōu)化的布局�(shè)計進一步提高了散熱能力,降低了系統(tǒng)運行時的溫升風險�
GCQ1555C1H3R2BB01D適用于多種電力電子領(lǐng)�,包括但不限于以下應用:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的同步整�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器
3. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的負載開�(guān)
4. 電機�(qū)動電�
5. 消費類電子產(chǎn)品中的電源管理模�
6. 便攜式設(shè)備中的高效功率控�
其高效的性能和緊湊的�(shè)計使其特別適合于移動�(shè)�、筆記本電腦適配器以及智能家居設(shè)備等�(lǐng)域�
GCQ1555C1H3R2BA01D
GCQ1555C1H3R2BC01D