時(shí)間：2025/5/21 22:21:44
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GA1812Y684KXBAR31G 是一款高性能的功率 MOSFET，適用于各種開關(guān)和功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。該器件采用先進(jìn)的制造工藝，具備低導(dǎo)通電阻、高開關(guān)速度以及出色的熱性能，廣泛應(yīng)用于工業(yè)、消費(fèi)電子和通信領(lǐng)域。
型號(hào)：GA1812Y684KXBAR31G
類型：N-Channel MOSFET
最大漏源電壓(Vds)：60V
最大柵源電壓(Vgs)：±20V
連續(xù)漏極電流(Id)：120A
導(dǎo)通電阻(Rds(on))：1.5mΩ（典型值）
功耗(PD)：175W
結(jié)溫范圍(Tj)：-55℃ 至 +175℃
封裝形式：TO-247
GA1812Y684KXBAR31G 提供了卓越的電氣性能，其低導(dǎo)通電阻顯著降低了功率損耗，并提高了整體效率。此外，該器件具有快速的開關(guān)速度和較低的柵極電荷，這使得它非常適合高頻開關(guān)應(yīng)用。
該芯片還設(shè)計(jì)有強(qiáng)大的散熱性能，能夠承受較高的結(jié)溫，從而在高溫環(huán)境中保持穩(wěn)定運(yùn)行。
同時(shí)，其堅(jiān)固的結(jié)構(gòu)和優(yōu)化的內(nèi)部設(shè)計(jì)有助于增強(qiáng)可靠性，減少故障率，特別是在嚴(yán)苛的工作條件下。
該 MOSFET 廣泛應(yīng)用于 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、逆變器、不間斷電源(UPS) 和太陽能逆變器等場景中。
由于其高電流處理能力和低導(dǎo)通電阻，它特別適合需要高效功率傳輸和快速動(dòng)態(tài)響應(yīng)的應(yīng)用環(huán)境。
此外，在電動(dòng)工具、汽車電子系統(tǒng)和工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中也常能見到 GA1812Y684KXBAR31G 的身影。
IRFP2907, STP120NF06L, FDP18N65C3
