GA1812Y684JBAAT31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要應(yīng)用于電源管理、開關(guān)電路以及電機(jī)驅(qū)動(dòng)等領(lǐng)域。該器件采用了先進(jìn)的制造工藝,具備較低的導(dǎo)通電阻和較高的開關(guān)速度,能夠顯著提高系統(tǒng)的效率并降低能耗。
該芯片具有強(qiáng)大的電流承載能力,同時(shí)提供優(yōu)異的熱性能和可靠性,適合在高功率密度的設(shè)計(jì)中使用。其封裝形式和電氣特性經(jīng)過優(yōu)化,可以滿足各種嚴(yán)苛的工作環(huán)境需求。
型號(hào):GA1812Y684JBAAT31G
類型:N-Channel MOSFET
漏源極擊穿電壓(Vds):60V
連續(xù)漏極電流(Id):30A
柵極電荷(Qg):35nC
導(dǎo)通電阻(Rds(on)):2.5mΩ
工作溫度范圍:-55℃ 至 +175℃
封裝形式:TO-247
1. 極低的導(dǎo)通電阻Rds(on),有助于減少導(dǎo)通損耗,提升系統(tǒng)效率。
2. 高速開關(guān)性能,適合高頻應(yīng)用場(chǎng)合。
3. 強(qiáng)大的電流承載能力,支持高達(dá)30A的連續(xù)漏極電流。
4. 良好的熱穩(wěn)定性,能夠在極端溫度范圍內(nèi)可靠運(yùn)行。
5. 提供多種保護(hù)功能選項(xiàng),如過溫保護(hù)和過流保護(hù),增強(qiáng)整體設(shè)計(jì)的安全性。
6. 兼容性強(qiáng),易于集成到現(xiàn)有的電源管理和電機(jī)驅(qū)動(dòng)解決方案中。
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的主開關(guān)管。
2. 電動(dòng)工具和家用電器中的電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路。
3. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載切換控制。
4. 新能源領(lǐng)域,如太陽能逆變器和儲(chǔ)能系統(tǒng)的功率轉(zhuǎn)換模塊。
5. 汽車電子系統(tǒng)中的大電流開關(guān)應(yīng)用,例如啟動(dòng)馬達(dá)或DC-DC轉(zhuǎn)換器。
6. 通信基站和服務(wù)器電源中的高效功率轉(zhuǎn)換組件。
IRF3205
FDP5510
AOT290L