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GA1812Y684JBAAT31G 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/5/23 9:11:22 查看 閱讀:11

GA1812Y684JBAAT31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要應(yīng)用于電源管理、開關(guān)電路以及電機(jī)驅(qū)動(dòng)等領(lǐng)域。該器件采用了先進(jìn)的制造工藝,具備較低的導(dǎo)通電阻和較高的開關(guān)速度,能夠顯著提高系統(tǒng)的效率并降低能耗。
  該芯片具有強(qiáng)大的電流承載能力,同時(shí)提供優(yōu)異的熱性能和可靠性,適合在高功率密度的設(shè)計(jì)中使用。其封裝形式和電氣特性經(jīng)過優(yōu)化,可以滿足各種嚴(yán)苛的工作環(huán)境需求。

參數(shù)

型號(hào):GA1812Y684JBAAT31G
  類型:N-Channel MOSFET
  漏源極擊穿電壓(Vds):60V
  連續(xù)漏極電流(Id):30A
  柵極電荷(Qg):35nC
  導(dǎo)通電阻(Rds(on)):2.5mΩ
  工作溫度范圍:-55℃ 至 +175℃
  封裝形式:TO-247

特性

1. 極低的導(dǎo)通電阻Rds(on),有助于減少導(dǎo)通損耗,提升系統(tǒng)效率。
  2. 高速開關(guān)性能,適合高頻應(yīng)用場(chǎng)合。
  3. 強(qiáng)大的電流承載能力,支持高達(dá)30A的連續(xù)漏極電流。
  4. 良好的熱穩(wěn)定性,能夠在極端溫度范圍內(nèi)可靠運(yùn)行。
  5. 提供多種保護(hù)功能選項(xiàng),如過溫保護(hù)和過流保護(hù),增強(qiáng)整體設(shè)計(jì)的安全性。
  6. 兼容性強(qiáng),易于集成到現(xiàn)有的電源管理和電機(jī)驅(qū)動(dòng)解決方案中。

應(yīng)用

1. 開關(guān)電源(SMPS)中的主開關(guān)管。
  2. 電動(dòng)工具和家用電器中的電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路。
  3. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載切換控制。
  4. 新能源領(lǐng)域,如太陽能逆變器和儲(chǔ)能系統(tǒng)的功率轉(zhuǎn)換模塊。
  5. 汽車電子系統(tǒng)中的大電流開關(guān)應(yīng)用,例如啟動(dòng)馬達(dá)或DC-DC轉(zhuǎn)換器。
  6. 通信基站和服務(wù)器電源中的高效功率轉(zhuǎn)換組件。

替代型號(hào)

IRF3205
  FDP5510
  AOT290L

ga1812y684jbaat31g參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量0現(xiàn)貨
  • 價(jià)格在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR)
  • 產(chǎn)品狀態(tài)在售
  • 電容0.68 μF
  • 容差±5%
  • 電壓 - 額定50V
  • 溫度系數(shù)X7R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • 應(yīng)用汽車級(jí)
  • 故障率-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1812(4532 公制)
  • 大小 / 尺寸0.177" 長(zhǎng) x 0.126" 寬(4.50mm x 3.20mm)
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.086"(2.18mm)
  • 引線間距-
  • 引線樣式-