GA1812Y683MXCAR31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,主要應(yīng)用于開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)� DC-DC �(zhuǎn)換器等場景。該芯片采用先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特�,能夠顯著提高系�(tǒng)的效率和�(wěn)定性�
這款器件適用于需要高效率和低損耗的電力電子�(yīng)�,并且通過�(yōu)化設(shè)�(jì)降低了電磁干擾(EMI)問題,提升了整體性能表現(xiàn)�
型號:GA1812Y683MXCAR31G
類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
封裝形式:TO-247
最大漏源電�(VDS)�650V
最大柵源電�(VGS):�20V
最大漏極電�(ID)�18A
�(dǎo)通電�(RDS(on))�0.18Ω
功�(PD)�190W
工作溫度范圍(TJ)�-55℃至+175�
總電�(Qg)�70nC
GA1812Y683MXCAR31G 的主要特性包括:
1. 高耐壓能力,適合高壓應(yīng)用場��
2. 極低的導(dǎo)通電� RDS(on),有效減少傳�(dǎo)損��
3. 快速開�(guān)速度,降低開�(guān)損��
4. 出色的熱性能,保證高溫環(huán)境下的穩(wěn)定運(yùn)��
5. �(nèi)� ESD 保護(hù)電路,提高了�(chǎn)品的可靠性和抗干擾能��
6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無鉛設(shè)�(jì)�
該芯片廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)模式電源 (SMPS),如適配器和充電��
2. 工業(yè)電機(jī)�(qū)�(dòng)控制�
3. 太陽能逆變器及儲能系統(tǒng)�
4. DC-DC �(zhuǎn)換器與升壓模��
5. 電動(dòng)車和混合�(dòng)力汽車中的電池管理系�(tǒng)�
6. 各種需要高效功率轉(zhuǎn)換的工業(yè)和消�(fèi)類電子產(chǎn)��
IRFP260N
STP18NF55
FDP18N65C
IXFN120N65T2