GA1812Y683MXAAT31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,廣泛應用于開關電源、電機驅動、DC-DC轉換器以及其他需要高效功率管理的場景。該芯片具有低導通電阻、高開關速度和出色的熱性能,能夠顯著提高系�(tǒng)的效率并降低能��
該器件采用先進的制程工藝制�,具備優(yōu)異的電氣特性和可靠性,適用于工�(yè)級和消費級應��
型號:GA1812Y683MXAAT31G
類型:N溝道增強型MOSFET
封裝形式:TO-247
最大漏源電壓(Vds):650V
最大柵源電壓(Vgs):±20V
最大連續(xù)漏極電流(Id):12A
導通電阻(Rds(on)):0.12Ω
功耗(Ptot):250W
工作溫度范圍�-55� to +175�
GA1812Y683MXAAT31G 具有以下主要特性:
1. 高耐壓能力,支持高�650V的漏源電�,使其適合高壓環(huán)境下的應��
2. 極低的導通電阻(Rds(on)),僅為0.12Ω,在大電流條件下能夠減少功耗并提升系統(tǒng)效率�
3. 快速開關性能,有助于減少開關損�,特別適合高頻開關應��
4. �(yōu)秀的熱�(wěn)定�,可承受高溫�(huán)境,確保在嚴苛條件下的可靠運行�
5. 緊湊且堅固的封裝設計,提高了散熱性能和機械強��
該芯片適用于多種應用場景,包括但不限于:
1. 開關電源(SMPS�
2. DC-DC轉換�
3. 電機驅動與控�
4. 太陽能逆變�
5. 工業(yè)自動化設備中的功率控�
6. 消費電子產品中的高效功率管理模塊
7. 電動車充電設�
GA1812Y683MXAAT32G, IRF840, STP12NM60