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GA1812Y683MXAAT31G 發(fā)布時間 時間�2025/5/12 16:34:41 查看 閱讀�23

GA1812Y683MXAAT31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,廣泛應用于開關電源、電機驅動、DC-DC轉換器以及其他需要高效功率管理的場景。該芯片具有低導通電阻、高開關速度和出色的熱性能,能夠顯著提高系�(tǒng)的效率并降低能��
  該器件采用先進的制程工藝制�,具備優(yōu)異的電氣特性和可靠性,適用于工�(yè)級和消費級應��

參數(shù)

型號:GA1812Y683MXAAT31G
  類型:N溝道增強型MOSFET
  封裝形式:TO-247
  最大漏源電壓(Vds):650V
  最大柵源電壓(Vgs):±20V
  最大連續(xù)漏極電流(Id):12A
  導通電阻(Rds(on)):0.12Ω
  功耗(Ptot):250W
  工作溫度范圍�-55� to +175�

特�

GA1812Y683MXAAT31G 具有以下主要特性:
  1. 高耐壓能力,支持高�650V的漏源電�,使其適合高壓環(huán)境下的應��
  2. 極低的導通電阻(Rds(on)),僅為0.12Ω,在大電流條件下能夠減少功耗并提升系統(tǒng)效率�
  3. 快速開關性能,有助于減少開關損�,特別適合高頻開關應��
  4. �(yōu)秀的熱�(wěn)定�,可承受高溫�(huán)境,確保在嚴苛條件下的可靠運行�
  5. 緊湊且堅固的封裝設計,提高了散熱性能和機械強��

應用

該芯片適用于多種應用場景,包括但不限于:
  1. 開關電源(SMPS�
  2. DC-DC轉換�
  3. 電機驅動與控�
  4. 太陽能逆變�
  5. 工業(yè)自動化設備中的功率控�
  6. 消費電子產品中的高效功率管理模塊
  7. 電動車充電設�

替代型號

GA1812Y683MXAAT32G, IRF840, STP12NM60

ga1812y683mxaat31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • 價格在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • 產品狀�(tài)在售
  • 電容0.068 μF
  • 容差±20%
  • 電壓 - 額定50V
  • 溫度系數(shù)X7R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級AEC-Q200
  • 應用汽車�
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1812�4532 公制�
  • 大小 / 尺寸0.177" � x 0.126" 寬(4.50mm x 3.20mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.086"�2.18mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-