GA1812Y683KXBAR31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,廣泛應用于開關電源、電機驅�、DC-DC轉換器等電力電子領域。該芯片采用先進的溝槽式MOSFET技術制�,具備低導通電阻和高開關速度的特點,能夠顯著提高系統(tǒng)的效率并降低能��
這款芯片主要適用于需要高效能功率轉換的應用場景,例如消費類電子產(chǎn)�、工�(yè)設備以及汽車電子系統(tǒng)�。其封裝形式� TO-252(DPAK),具有良好的散熱性能和緊湊的設計,適合高密度電路板布局�
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�30A
導通電阻:2.5mΩ
柵極電荷�45nC
開關速度�10ns
工作溫度范圍�-55� � +175�
封裝形式:TO-252(DPAK)
GA1812Y683KXBAR31G 的主要特性包括:
1. 極低的導通電阻(Rds(on)�,可有效減少導通損�,提升整體效��
2. 高速開關能�,支持高頻操�,滿足現(xiàn)代電力電子設備對高頻性能的需��
3. �(yōu)化的熱設�,確保在高功率應用中的穩(wěn)定性和可靠��
4. 具備強大的雪崩能力和抗靜電能力,增強了器件的魯棒��
5. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且無鉛工藝制造�
6. 小型化封裝設�,節(jié)� PCB 空間,同時保持優(yōu)秀的散熱表�(xiàn)�
該芯片的主要應用領域涵蓋以下方面�
1. 開關模式電源(SMPS) � DC-DC 轉換器中作為主開關或同步整流元件�
2. 各類電機驅動電路,如步進電�、無刷直流電機等�
3. 汽車電子系統(tǒng)中的負載切換和保護功��
4. 工業(yè)自動化控制中的功率管理模塊�
5. 消費類電子產(chǎn)品的適配器和充電器解決方��
6. 太陽能逆變器以及其他新能源相關設備中的功率轉換部分�
IRFZ44N
FDP5800
AON6961