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GA1812Y683JXEAT31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/6/5 16:16:32 查看 閱讀�8

GA1812Y683JXEAT31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,主要應(yīng)用于高效�、高頻開�(guān)場景。該器件采用了先�(jìn)的制造工藝,具備低導(dǎo)通電阻和快速開�(guān)速度的特�(diǎn),適用于多種工業(yè)及消�(fèi)電子�(lǐng)域�

參數(shù)

型號(hào):GA1812Y683JXEAT31G
  類型:N溝道 MOSFET
  最大漏源電壓:650 V
  最大連續(xù)漏電流:18 A
  �(dǎo)通電阻:0.045 Ω
  柵極電荷�75 nC
  開關(guān)�(shí)間:ton = 45 ns, toff = 25 ns
  工作溫度范圍�-55 � � +150 �

特�

GA1812Y683JXEAT31G 具有以下顯著特性:
  1. 高耐壓能力,最大漏源電壓高�(dá) 650V,能夠適�(yīng)各種高壓�(huán)��
  2. 低導(dǎo)通電� (Rds(on)) �(shè)�(jì),僅� 0.045Ω,有助于降低功耗并提升整體效率�
  3. 快速開�(guān)性能,開�(guān)�(shí)間短� 45ns/25ns,非常適合高頻應(yīng)��
  4. 極低的柵極電荷,�(jìn)一步優(yōu)化了�(qū)�(dòng)損��
  5. 寬工作溫度范� (-55� � +150�),確保在極端條件下的可靠性�
  6. 小型封裝�(shè)�(jì),便于布局和集�,適合緊湊型電路板設(shè)�(jì)�

�(yīng)�

這款功率 MOSFET 芯片廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源 (SMPS) � DC-DC �(zhuǎn)換器中作為主開關(guān)元件�
  2. 工業(yè)電機(jī)�(qū)�(dòng)和逆變器控��
  3. 太陽能逆變器系�(tǒng)中的高頻開關(guān)組件�
  4. 電動(dòng)汽車 (EV) 和混合動(dòng)力汽� (HEV) 的電力管理系�(tǒng)�
  5. LED �(qū)�(dòng)電路和其他高效節(jié)能型電子�(shè)備�
  6. 各種需要高耐壓和低功耗特性的�(yīng)用場��

替代型號(hào)

GA1812Y683JXEAT31H, IRFP460, STP18NF65

ga1812y683jxeat31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容0.068 μF
  • 容差±5%
  • 電壓 - 額定500V
  • 溫度系數(shù)X7R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�(jí)
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1812�4532 公制�
  • 大小 / 尺寸0.177" � x 0.126" 寬(4.50mm x 3.20mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.086"�2.18mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-