GA1812Y683JXEAT31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,主要應(yīng)用于高效�、高頻開�(guān)場景。該器件采用了先�(jìn)的制造工藝,具備低導(dǎo)通電阻和快速開�(guān)速度的特�(diǎn),適用于多種工業(yè)及消�(fèi)電子�(lǐng)域�
型號(hào):GA1812Y683JXEAT31G
類型:N溝道 MOSFET
最大漏源電壓:650 V
最大連續(xù)漏電流:18 A
�(dǎo)通電阻:0.045 Ω
柵極電荷�75 nC
開關(guān)�(shí)間:ton = 45 ns, toff = 25 ns
工作溫度范圍�-55 � � +150 �
GA1812Y683JXEAT31G 具有以下顯著特性:
1. 高耐壓能力,最大漏源電壓高�(dá) 650V,能夠適�(yīng)各種高壓�(huán)��
2. 低導(dǎo)通電� (Rds(on)) �(shè)�(jì),僅� 0.045Ω,有助于降低功耗并提升整體效率�
3. 快速開�(guān)性能,開�(guān)�(shí)間短� 45ns/25ns,非常適合高頻應(yīng)��
4. 極低的柵極電荷,�(jìn)一步優(yōu)化了�(qū)�(dòng)損��
5. 寬工作溫度范� (-55� � +150�),確保在極端條件下的可靠性�
6. 小型封裝�(shè)�(jì),便于布局和集�,適合緊湊型電路板設(shè)�(jì)�
這款功率 MOSFET 芯片廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源 (SMPS) � DC-DC �(zhuǎn)換器中作為主開關(guān)元件�
2. 工業(yè)電機(jī)�(qū)�(dòng)和逆變器控��
3. 太陽能逆變器系�(tǒng)中的高頻開關(guān)組件�
4. 電動(dòng)汽車 (EV) 和混合動(dòng)力汽� (HEV) 的電力管理系�(tǒng)�
5. LED �(qū)�(dòng)電路和其他高效節(jié)能型電子�(shè)備�
6. 各種需要高耐壓和低功耗特性的�(yīng)用場��
GA1812Y683JXEAT31H, IRFP460, STP18NF65