GA1812Y563JXBAT31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要應(yīng)用于開關(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)等高效率功率�(zhuǎn)換場�。該芯片采用先�(jìn)的制造工�,在低導(dǎo)通電阻和高速開�(guān)性能之間�(shí)�(xiàn)了良好的平衡,能夠顯著降低功耗并提升系統(tǒng)效率�
該器件具有出色的熱特性和電氣�(wěn)定性,能夠在嚴(yán)苛的工作�(huán)境下保持可靠的性能表現(xiàn)。其封裝形式專為高功率密度應(yīng)用設(shè)�(jì),有助于提高電路板空間利用率�
型號(hào):GA1812Y563JXBAT31G
類型:N-Channel MOSFET
最大漏源電�(Vds)�60V
最大柵源電�(Vgs):�20V
連續(xù)漏極電流(Id)�40A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�2.5mΩ
柵極電荷(Qg)�75nC
總電�(Ciss)�3500pF
工作溫度范圍�-55°C�+175°C
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),可有效減少導(dǎo)通損�,適用于高效能功率轉(zhuǎn)換場景�
2. 高速開�(guān)能力,能夠支持高頻操作,滿足�(xiàn)代電源系�(tǒng)對小型化和高效率的需��
3. �(qiáng)大的浪涌電流承受能力,確保在突發(fā)�(fù)載條件下仍能�(wěn)定運(yùn)��
4. �(nèi)置靜電防�(hù)功能,增�(qiáng)芯片在實(shí)際使用中的抗干擾能力�
5. 采用緊湊型封裝設(shè)�(jì),節(jié)省PCB布局空間,同�(shí)具備�(yōu)秀的散熱性能�
6. 廣泛的工作溫度范圍,使其適用于各種工�(yè)�(huán)境和極端氣候條件下的應(yīng)��
1. 開關(guān)電源(SMPS)的設(shè)�(jì)與優(yōu)��
2. DC-DC�(zhuǎn)換器中的功率�(jí)控制�
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)和逆變器電��
4. 充電器和適配器中的功率管理模塊�
5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率開�(guān)組件�
6. 汽車電子系統(tǒng)中的�(fù)載切換控制�
GA1812Y563JXBAT29G
IRF540N
STP40NF06L