GA1812A822GXCAR31G是一款高性能的功率MOSFET器件,主要應用于開關電源、電機驅(qū)�、負載開關等場景。該器件采用先進的制造工�,在提供高效率的同時具備低導通電阻和快速開關特�,能夠有效降低功耗并提升系統(tǒng)性能�
其封裝形式為行業(yè)標準的表面貼裝類�,便于自動化生產(chǎn)和焊�,同時具有良好的散熱性能。該型號特別適合于對效率和可靠性要求較高的應用場合�
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�35A
導通電阻:1.8mΩ
柵極電荷�45nC
開關速度:超快恢�
工作溫度范圍�-55℃至150�
封裝形式:TO-263
GA1812A822GXCAR31G采用了溝槽式MOSFET�(jié)構設�,從而顯著降低了導通電�,并提高了電流承載能�。該芯片還具備以下特點:
1. 極低的導通電阻(Rds(on)),有助于減少功率損��
2. 快速開關特�,可支持高頻開關應用�
3. �(nèi)置ESD保護功能,提升了芯片在惡劣環(huán)境下的抗干擾能力�
4. 高電流處理能�,適用于大功率應用領��
5. 良好的熱�(wěn)定�,確保長時間運行時的可靠��
此外,該器件通過了多項國際認�,包括RoHS、REACH等環(huán)保標�,符合現(xiàn)代綠色電子設計理��
該型號廣泛應用于各類電力電子設備�,例如:
1. 開關模式電源(SMPS�
2. 直流無刷電機�(qū)�
3. 工業(yè)控制中的負載切換
4. 電動車電池管理系�(tǒng)(BMS�
5. 太陽能逆變�
6. 各種適配器和充電�
由于其出色的電氣特性和可靠性,GA1812A822GXCAR31G成為了許多工程師在設計高效功率轉(zhuǎn)換電路時的首選解決方��
GA1812A822GXCR31G
IRF7729PbF
FDP16N60E