GA1812A822GXBAR31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,廣泛應用于開關(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動等�(lǐng)�。該芯片采用了先進的制造工�,具有低導通電阻、高開關(guān)速度和優(yōu)異的熱性能。其封裝形式和電氣特性使其非常適合需要高效能和緊湊設計的應用場景�
這款功率 MOSFET 的主要特點是其優(yōu)化的柵極�(qū)動特性和出色的電流承載能�,能夠顯著提高系�(tǒng)的效率并降低功�。同�,它具備良好的短路耐受能力和抗干擾性能,確保在復雜電磁�(huán)境下的穩(wěn)定運��
型號:GA1812A822GXBAR31G
類型:N-Channel Enhancement Mode MOSFET
最大漏源電�(Vds)�60V
最大柵源電�(Vgs):�20V
連續(xù)漏極電流(Id)�40A
導通電�(Rds(on))�2.5mΩ
柵極電荷(Qg)�39nC
總電�(Ciss)�2780pF
工作溫度范圍�-55� to +175�
封裝形式:TO-247
1. 極低的導通電� (Rds(on)),有助于減少導通損耗并提高整體效率�
2. 高速開�(guān)能力,適合高頻應用�
3. 采用堅固的設�,具有強大的短路保護能力�
4. 支持大電流操�,適用于高功率密度系�(tǒng)�
5. 寬廣的工作溫度范�,適應極端環(huán)境條��
6. 具備�(yōu)秀的熱性能,能夠有效管理芯片散熱�
7. 緊湊型封裝設�,便于布局與安裝�
1. 開關(guān)模式電源(SMPS) � DC-DC �(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)�
2. 電機�(qū)動電路中的功率控制元��
3. 電池管理系統(tǒng)(BMS) 中的充放電保��
4. 工業(yè)自動化設備中的功率調(diào)節(jié)模塊�
5. 電信設備和服務器電源中的高效能功率轉(zhuǎn)��
6. LED �(qū)動器和負載切換等應用中的開關(guān)元件�
IRF3205
FDP5800
STP40NF06L