時(shí)間：2025/5/29 10:41:05
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GA1812A820FBHAR31G 是一款基于氮化鎵（GaN）技術(shù)的高效率功率晶體管，專為高頻、高功率應(yīng)用場景設(shè)計(jì)。該器件采用了先進(jìn)的增強(qiáng)型橫向場效應(yīng)晶體管（eGaN FET）技術(shù)，具有低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)速度的特點(diǎn)，適用于高頻DC-DC轉(zhuǎn)換器、無線充電設(shè)備、電機(jī)驅(qū)動器以及各種工業(yè)應(yīng)用中的功率變換模塊。
相比傳統(tǒng)的硅基MOSFET，這款GaN晶體管在高頻下的損耗更低，能夠顯著提升系統(tǒng)效率并減少散熱需求。
型號：GA1812A820FBHAR31G
類型：增強(qiáng)型 GaN 功率晶體管
最大漏源電壓（Vds）：650 V
連續(xù)漏極電流（Id）：14 A
導(dǎo)通電阻（Rds(on)）：75 mΩ（典型值，@25°C）
柵極閾值電壓（Vgs(th)）：1.2 V ~ 3.0 V
工作溫度范圍：-55°C ~ +175°C
封裝形式：TO-247-4L
GA1812A820FBHAR31G 擁有以下主要特性：
1. 極低的導(dǎo)通電阻（Rds(on)），可以降低導(dǎo)電損耗，從而提高系統(tǒng)效率。
2. 高速開關(guān)性能，支持高達(dá)數(shù)兆赫茲的工作頻率，適合高頻應(yīng)用。
3. 更高的擊穿電壓（Vds）使其能夠在高壓環(huán)境下穩(wěn)定運(yùn)行。
4. 內(nèi)置ESD保護(hù)功能，增強(qiáng)了產(chǎn)品的可靠性。
5. 良好的熱穩(wěn)定性，在高溫條件下仍能保持優(yōu)異的電氣性能。
6. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保無鉛設(shè)計(jì)。
這些特性使得該器件非常適合于需要高效能量轉(zhuǎn)換和緊湊設(shè)計(jì)的應(yīng)用場景。
該芯片廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
1. 工業(yè)級電源管理，如高頻DC-DC轉(zhuǎn)換器、PFC電路。
2. 電動汽車及混合動力汽車中的車載充電器和逆變器。
3. 數(shù)據(jù)中心和通信基站的高效電源解決方案。
4. 快速充電器和無線充電設(shè)備。
5. LED驅(qū)動器和其他消費(fèi)類電子產(chǎn)品的功率轉(zhuǎn)換模塊。
其高效率和高功率密度的優(yōu)勢使它成為現(xiàn)代電力電子設(shè)計(jì)的理想選擇。
GA1812A820FBHAR32G
GAN063-650WSA
LMG3411R070
STGG60H65B
