GA1812A682GXBAR31G 是一款高性能功率MOSFET芯片,主要用于開(kāi)�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)和DC-DC�(zhuǎn)換等�(yīng)用。該芯片采用先�(jìn)的制造工�,在效率、散熱性能和可靠性方面表�(xiàn)出色。其�(shè)�(jì)�(yōu)化了�(dǎo)通電阻和�(kāi)�(guān)特�,能夠有效降低功耗并提高系統(tǒng)性能�
這款器件具有較高的電流承載能力和耐壓能力,同�(shí)具備快速的�(kāi)�(guān)速度和低電容特�,適合需要高效能和高可靠性的電路�(shè)�(jì)�
型號(hào):GA1812A682GXBAR31G
�(lèi)型:N溝道 MOSFET
封裝:TO-220
漏源極電�(Vds)�650V
連續(xù)漏極電流(Id)�12A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�0.18Ω
柵極電荷(Qg)�45nC
總電�(Ciss)�1200pF
工作溫度范圍�-55� � +150�
封裝方式:表面貼�/通孔
GA1812A682GXBAR31G 具有以下顯著特性:
1. 高耐壓能力:支持高�(dá)650V的漏源極電壓,適用于高壓�(yīng)用場(chǎng)景�
2. 大電流承載能力:可承受高�(dá)12A的連續(xù)漏極電流,滿(mǎn)足高�(fù)載需��
3. 低導(dǎo)通電阻:�0.18Ω的導(dǎo)通電阻顯著降低了傳導(dǎo)損�,提升了效率�
4. 快速開(kāi)�(guān)特性:具備低柵極電荷和�(yōu)化的�(kāi)�(guān)速度,減少開(kāi)�(guān)損��
5. 良好的熱性能:優(yōu)化的封裝�(shè)�(jì)和材料選擇提高了散熱能力,確保長(zhǎng)�(shí)間穩(wěn)定運(yùn)��
6. 寬工作溫度范圍:能夠�-55℃至+150℃的�(huán)境下可靠工作,適�(yīng)各種�(yán)苛環(huán)境條��
7. 高可靠性:�(jīng)�(guò)�(yán)格的�(zhì)量測(cè)試和篩選,保證長(zhǎng)期使用中的穩(wěn)定��
GA1812A682GXBAR31G 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS):作為主開(kāi)�(guān)管或同步整流管,提供高效的能量轉(zhuǎn)��
2. 電機(jī)�(qū)�(dòng):用于控制直流電�(jī)或無(wú)刷直流電�(jī)的速度和方��
3. DC-DC�(zhuǎn)換器:實(shí)�(xiàn)高效的電壓轉(zhuǎn)換和�(wěn)壓功��
4. 逆變器:在光伏逆變器和其他�(lèi)型的逆變器中用作功率�(kāi)�(guān)�
5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備:如PLC控制�、伺服驅(qū)�(dòng)器等中的功率�(jí)控制�
6. 汽車(chē)電子:如電動(dòng)�(chē)�、座椅調(diào)節(jié)和剎�(chē)控制系統(tǒng)中的功率�(kāi)�(guān)組件�
7. 照明系統(tǒng):LED�(qū)�(dòng)電源中的�(guān)鍵元�,確保亮度調(diào)節(jié)和保�(hù)功能�
IRF840,
STP12NM65,
FDP15N65S,
IXFN12N65T2