型號(hào)：GA1812A681GXLAT31G
　　類型：N 溝道功率 MOSFET
　　最大漏源電壓（Vds）：60V
　　最大柵源電壓（Vgs）：±20V
　　連續(xù)漏極電流（Id）：120A
　　導(dǎo)通電阻（Rds(on)）：1.5mΩ
　　總功耗（Ptot）：240W
　　工作溫度范圍：-55℃ 至 +175℃
　　封裝形式：TO-247

GA1812A681GXLAT31G 具有以下顯著特性：
　　1. 極低的導(dǎo)通電阻 (Rds(on))，可以有效降低傳導(dǎo)損耗并提高系統(tǒng)效率。
　　2. 高額定電流能力，適合大功率應(yīng)用場(chǎng)景。
　　3. 快速開(kāi)關(guān)速度，支持高頻操作。
　　4. 強(qiáng)大的熱性能設(shè)計(jì)，確保在高溫環(huán)境下仍能保持穩(wěn)定運(yùn)行。
　　5. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保且可靠。
　　6. 內(nèi)置靜電保護(hù)功能，增強(qiáng)芯片的抗干擾能力。

該芯片適用于多種電力電子應(yīng)用領(lǐng)域，包括但不限于：
　　1. 開(kāi)關(guān)電源 (SMPS) 和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器。
　　2. 電動(dòng)工具和家用電器中的電機(jī)驅(qū)動(dòng)。
　　3. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載開(kāi)關(guān)。
　　4. 太陽(yáng)能逆變器和其他可再生能源系統(tǒng)。
　　5. 電動(dòng)汽車 (EV) 和混合動(dòng)力汽車 (HEV) 的電池管理系統(tǒng)。
　　6. 高效功率因數(shù)校正 (PFC) 電路。

GA1812A681GXLAT31H, IRFP2907ZPBF, FDP158N06L