GA1812A681GBAAR31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,采用先�(jìn)的制造工藝以�(shí)�(xiàn)低導(dǎo)通電阻和高效�。該器件適用于開�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、DC-DC�(zhuǎn)換器以及其他需要高效能功率管理的應(yīng)用場(chǎng)��
其設(shè)�(jì)旨在�(yōu)化功耗表�(xiàn)并減少熱量產(chǎn)�,同�(shí)具備出色的耐用性和可靠性,適合工業(yè)及消�(fèi)類電子設(shè)備中的多種應(yīng)用需��
型號(hào):GA1812A681GBAAR31G
類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
封裝形式:TO-252 (DPAK)
最大漏源電�(Vds)�60V
最大柵源電�(Vgs):�20V
連續(xù)漏極電流(Id)�40A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�4mΩ(典型�,在Vgs=10V�(shí)�
總功�(Ptot)�95W
工作�(jié)溫范圍:-55°C � +175°C
熱阻(�(jié)到環(huán)�)�40°C/W
GA1812A681GBAAR31G 具有以下顯著特點(diǎn)�
1. 極低的導(dǎo)通電阻,能夠有效降低功率損��
2. 高速開�(guān)性能,支持高頻操��
3. �(qiáng)化的雪崩能量承受能力,提高了在異常情況下的保�(hù)性能�
4. 良好的熱�(wěn)定�,即使在高負(fù)載條件下也能保持�(wěn)定運(yùn)��
5. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且無鉛�(shè)�(jì)�
6. 小型化封�,便于集成到緊湊型設(shè)�(jì)��
這款芯片主要�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的功率�(jí)�(zhuǎn)��
2. DC-DC�(zhuǎn)換器的核心功率開�(guān)元件�
3. 各類電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率控制�
4. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的充放電控��
5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率調(diào)節(jié)與分��
6. 汽車電子系統(tǒng)中的�(fù)載切換和保護(hù)電路�
由于其高效的功率管理和穩(wěn)健的�(shè)�(jì),GA1812A681GBAAR31G成為眾多功率敏感型應(yīng)用的理想選擇�
IRFZ44N
FDP5800
STP40NF06L