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GA1812A681GBAAR31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/6/4 13:47:44 查看 閱讀�8

GA1812A681GBAAR31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,采用先�(jìn)的制造工藝以�(shí)�(xiàn)低導(dǎo)通電阻和高效�。該器件適用于開�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、DC-DC�(zhuǎn)換器以及其他需要高效能功率管理的應(yīng)用場(chǎng)��
  其設(shè)�(jì)旨在�(yōu)化功耗表�(xiàn)并減少熱量產(chǎn)�,同�(shí)具備出色的耐用性和可靠性,適合工業(yè)及消�(fèi)類電子設(shè)備中的多種應(yīng)用需��

參數(shù)

型號(hào):GA1812A681GBAAR31G
  類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
  封裝形式:TO-252 (DPAK)
  最大漏源電�(Vds)�60V
  最大柵源電�(Vgs):�20V
  連續(xù)漏極電流(Id)�40A
  �(dǎo)通電�(Rds(on))�4mΩ(典型�,在Vgs=10V�(shí)�
  總功�(Ptot)�95W
  工作�(jié)溫范圍:-55°C � +175°C
  熱阻(�(jié)到環(huán)�)�40°C/W

特�

GA1812A681GBAAR31G 具有以下顯著特點(diǎn)�
  1. 極低的導(dǎo)通電阻,能夠有效降低功率損��
  2. 高速開�(guān)性能,支持高頻操��
  3. �(qiáng)化的雪崩能量承受能力,提高了在異常情況下的保�(hù)性能�
  4. 良好的熱�(wěn)定�,即使在高負(fù)載條件下也能保持�(wěn)定運(yùn)��
  5. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且無鉛�(shè)�(jì)�
  6. 小型化封�,便于集成到緊湊型設(shè)�(jì)��

�(yīng)�

這款芯片主要�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)中的功率�(jí)�(zhuǎn)��
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器的核心功率開�(guān)元件�
  3. 各類電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率控制�
  4. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的充放電控��
  5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率調(diào)節(jié)與分��
  6. 汽車電子系統(tǒng)中的�(fù)載切換和保護(hù)電路�
  由于其高效的功率管理和穩(wěn)健的�(shè)�(jì),GA1812A681GBAAR31G成為眾多功率敏感型應(yīng)用的理想選擇�

替代型號(hào)

IRFZ44N
  FDP5800
  STP40NF06L

ga1812a681gbaar31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容680 pF
  • 容差±2%
  • 電壓 - 額定50V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�(jí)
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1812�4532 公制�
  • 大小 / 尺寸0.177" �(zhǎng) x 0.126" 寬(4.50mm x 3.20mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.086"�2.18mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-