GA1812A681FXGAT31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,廣泛應(yīng)用于電源管理、電�(jī)�(qū)�(dòng)和開(kāi)�(guān)電源等領(lǐng)�。該器件采用先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電�、高�(kāi)�(guān)速度和出色的熱性能,能夠顯著提升系�(tǒng)的效率和可靠��
這款芯片主要針對(duì)需要高效能和低功耗的�(yīng)用場(chǎng)景設(shè)�(jì),例如適配器、充電器、DC-DC�(zhuǎn)換器�。其封裝形式通常為表面貼裝類(lèi)型,方便自動(dòng)化生�(chǎn)和散熱管��
型號(hào):GA1812A681FXGAT31G
�(lèi)型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
最大漏源電�(Vds)�60V
最大柵源電�(Vgs):�20V
持續(xù)漏極電流(Id)�40A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�5mΩ(典型值)
輸入電容(Ciss)�1300pF
總柵極電�(Qg)�55nC
工作溫度范圍�-55°C�+175°C
1. 極低的導(dǎo)通電阻確保了更高的系�(tǒng)效率和更低的�(fā)��
2. 高速開(kāi)�(guān)性能減少了開(kāi)�(guān)損�,特別適合高頻應(yīng)��
3. �(qiáng)大的雪崩能力增強(qiáng)了器件在異常情況下的耐受性�
4. 具備�(yōu)異的熱穩(wěn)定性和抗靜電能�(ESD保護(hù)),提升了整體可靠��
5. 小型化的封裝使其適用于空間受限的�(shè)�(jì)�(huán)��
6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且滿足�(guó)際法�(guī)要求�
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)中的功率�(kāi)�(guān)元件�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器的核心功率處理單��
3. 各類(lèi)電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率控制模塊�
4. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的充放電控��
5. 電動(dòng)�(chē)�、座椅調(diào)節(jié)等汽�(chē)電子系統(tǒng)的執(zhí)行機(jī)�(gòu)�(qū)�(dòng)�
6. 工業(yè)�(shè)備中的負(fù)載切換與保護(hù)功能�
GA1812A681FXGAT32G
IRF540N
FDP5800
STP40NF06L