GA1812A681FXEAT31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,廣泛應(yīng)用于電源管理、電�(jī)�(qū)�(dòng)和開�(guān)電路等領(lǐng)�。該器件采用先�(jìn)的制造工藝,具有低導(dǎo)通電�、高開關(guān)速度和出色的熱性能,能夠在高效率和高可靠性要求的�(yīng)用中表現(xiàn)出色�
其封裝形式為TO-252(DPAK�,適合表面貼裝工藝,能夠有效降低系統(tǒng)成本并提高設(shè)�(jì)靈活��
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�47A
�(dǎo)通電阻:1.3mΩ
柵極電荷�90nC
開關(guān)頻率�500kHz
工作溫度范圍�-55℃至150�
GA1812A681FXEAT31G的核心優(yōu)�(shì)在于其卓越的電氣性能和可靠�。首先,它具備極低的�(dǎo)通電阻(�1.3mΩ�,這使得在大電流應(yīng)用中能顯著降低功耗并提升效率�
其次,該器件的柵極電荷較?�?0nC),有助于實(shí)�(xiàn)高速開�(guān)操作,從而減少開�(guān)損耗�
此外,其封裝形式TO-252(DPAK)提供了良好的散熱能力,并且兼容自動(dòng)化表面貼裝生�(chǎn)工藝,簡(jiǎn)化了裝配流程�
同時(shí),這款MOSFET支持的工作溫度范圍寬廣(-55℃至150℃),確保了在極端環(huán)境條件下的穩(wěn)定運(yùn)��
該芯片主要應(yīng)用于各類高效電源�(zhuǎn)換場(chǎng)景,包括但不限于DC-DC�(zhuǎn)換器、同步整流電�、電池管理系�(tǒng)(BMS�、電�(jī)�(qū)�(dòng)電路以及消費(fèi)電子�(shè)備中的負(fù)載開�(guān)��
由于其出色的性能和可靠�,GA1812A681FXEAT31G特別適合工業(yè)�(jí)和汽車級(jí)�(yīng)用,例如電動(dòng)工具、電�(dòng)車充電模塊和家用電器中的功率控制單元�
IRF6672,
STP100N06,
FDP180N06L