GA1812A681FXAAR31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要應(yīng)用于高效率電源轉(zhuǎn)換和電機(jī)�(qū)�(dòng)�(lǐng)域。該器件采用先�(jìn)的溝槽式工藝制�,具有較低的�(dǎo)通電阻和較高的開�(guān)速度,適合在高頻條件下工��
這款功率MOSFET支持大電流應(yīng)�,并且具備良好的熱性能,能夠有效降低系�(tǒng)功�,提升整體效��
類型:N-Channel MOSFET
額定電壓�650V
額定電流�12A
�(dǎo)通電阻:45mΩ(典型值)
柵極電荷�35nC(最大值)
連續(xù)漏極電流�12A(Tc=25℃)
總功耗:27W
工作溫度范圍�-55℃至+150�
GA1812A681FXAAR31G的主要特性包括:
1. 低導(dǎo)通電阻設(shè)�(jì),可顯著減少�(dǎo)通損��
2. 快速開�(guān)能力,支持高頻應(yīng)��
3. 高擊穿電�,確保在高壓�(huán)境下的穩(wěn)定性�
4. �(nèi)置ESD保護(hù)功能,增�(qiáng)器件的可靠��
5. 小型化封裝設(shè)�(jì),節(jié)省PCB空間�
6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無(wú)鉛材��
這些特性使得該芯片非常適合于各種高效率、緊湊型�(shè)�(jì)需求的�(yīng)用場(chǎng)��
該芯片廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器�
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)控制��
4. 太陽(yáng)能逆變器�
5. LED�(qū)�(dòng)��
6. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制模塊�
由于其出色的性能,GA1812A681FXAAR31G成為許多高要求功率應(yīng)用的理想選擇�
IRFZ44N
FDP18N06L
STP12NF06
AO3400