GA1812A680FBAAT31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,屬于溝槽式�(chǎng)效應(yīng)晶體管系列。該芯片采用先�(jìn)的制造工�,具備低�(dǎo)通電阻、高開關(guān)速度和出色的熱性能,廣泛應(yīng)用于各種電力電子�(shè)備中。其封裝形式� TO-247-3,適合大功率�(yīng)用場(chǎng)��
型號(hào):GA1812A680FBAAT31G
類型:N-Channel Power MOSFET
最大漏源電�(Vds)�680V
最大柵源電�(Vgs):�20V
�(dǎo)通電�(Rds(on))�0.05Ω(典型值,� Vgs=10V �(shí)�
連續(xù)漏極電流(Id)�12A(在 25°C 條件下)
峰值脈沖漏極電�(Ip)�180A
柵極電荷(Qg)�65nC(典型值)
輸入電容(Ciss)�2900pF
開關(guān)�(shí)間:開通延遲時(shí)�(td(on))=37ns,關(guān)斷傳播時(shí)�(t(off))=40ns
工作溫度范圍(Ta)�-55°C � +175°C
封裝形式:TO-247-3
GA1812A680FBAAT31G 具有以下主要特性:
1. 高耐壓能力,適用于高壓直流�(yīng)用環(huán)��
2. 極低的導(dǎo)通電� Rds(on),能夠顯著降低功率損耗,提高系統(tǒng)效率�
3. 快速開�(guān)特�,支持高頻工作場(chǎng)景,減少開關(guān)損��
4. 出色的熱性能�(shè)�(jì),確保在高溫條件下穩(wěn)定運(yùn)行�
5. �(qiáng)大的浪涌電流能力,增�(qiáng)器件的魯棒性和可靠性�
6. 采用 TO-247-3 封裝,便于散熱和安裝,適合工�(yè)�(jí)和商�(yè)�(jí)�(yīng)用�
7. 寬工作溫度范�,適�(yīng)極端�(huán)境條件下的使用需求�
該功� MOSFET 主要�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源 (SMPS) � DC-DC �(zhuǎn)換器中的主開�(guān)��
2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路,用于控制交流或直流電機(jī)的速度和方向�
3. 太陽能逆變器中的功率轉(zhuǎn)換模��
4. 工業(yè)�(shè)備中的電磁閥和繼電器�(qū)�(dòng)�
5. 不間斷電� (UPS) 系統(tǒng)中的功率管理�
6. 電動(dòng)汽車和混合動(dòng)力汽車的電池管理系統(tǒng) (BMS) 中的高側(cè)或低�(cè)開關(guān)�
7. 各類高電壓和大電流負(fù)載的開關(guān)和保�(hù)電路�
GA1812A650TBAAT31G, IRFP260N, STP12NM65