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GA1812A562GBBAT31G 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/5/21 18:44:37 查看 閱讀：15

GA1812A562GBBAT31G是一款高性能的功率MOSFET芯片，廣泛應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)以及負(fù)載開(kāi)關(guān)等場(chǎng)景。該器件采用先進(jìn)的半導(dǎo)體制造工藝，具有低導(dǎo)通電阻、高效率和良好的熱性能等特點(diǎn)。其封裝形式通常為表面貼裝類(lèi)型，便于自動(dòng)化生產(chǎn)和系統(tǒng)集成。
　　該型號(hào)中的關(guān)鍵參數(shù)表明它適合于中高電流的應(yīng)用場(chǎng)合，同時(shí)能夠提供穩(wěn)定的電氣性能和可靠性，適用于工業(yè)級(jí)或消費(fèi)級(jí)電子設(shè)備。

參數(shù)

最大漏源電壓：60V
　　連續(xù)漏極電流：20A
　　導(dǎo)通電阻：2.5mΩ
　　柵極電荷：35nC
　　開(kāi)關(guān)速度：納秒級(jí)
　　工作溫度范圍：-55℃至150℃

特性

GA1812A562GBBAT31G的核心優(yōu)勢(shì)在于其低導(dǎo)通電阻設(shè)計(jì)，這有助于減少傳導(dǎo)損耗并提高整體能效。此外，該芯片具備快速的開(kāi)關(guān)特性，可支持高頻操作，從而減小外部元件體積并優(yōu)化電路布局。
　　其出色的熱管理和堅(jiān)固的結(jié)構(gòu)使其能夠在嚴(yán)苛的工作條件下保持穩(wěn)定運(yùn)行。同時(shí)，由于采用了先進(jìn)的封裝技術(shù)，該器件還具備較強(qiáng)的抗靜電能力和電磁兼容性，進(jìn)一步增強(qiáng)了系統(tǒng)的可靠性和耐用性。

應(yīng)用

該功率MOSFET適用于多種電力電子應(yīng)用場(chǎng)景，包括但不限于以下領(lǐng)域：
　　1. 開(kāi)關(guān)模式電源（SMPS）
　　2. DC-DC轉(zhuǎn)換模塊
　　3. 電池管理系統(tǒng)（BMS）
　　4. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)與控制
　　5. 汽車(chē)電子中的負(fù)載切換
　　6. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率調(diào)節(jié)
　　在這些應(yīng)用中，GA1812A562GBBAT31G憑借其高效的功率處理能力，成為設(shè)計(jì)工程師的理想選擇。

替代型號(hào)

IRFZ44N
　　FDP5802
　　AON7722

ga1812a562gbbat31g參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量0現(xiàn)貨
  • 價(jià)格在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶（TR）
  • 產(chǎn)品狀態(tài)在售
  • 電容5600 pF
  • 容差±2%
  • 電壓 - 額定100V
  • 溫度系數(shù)C0G，NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • 應(yīng)用汽車(chē)級(jí)
  • 故障率-
  • 安裝類(lèi)型表面貼裝，MLCC
  • 封裝/外殼1812（4532 公制）
  • 大小 / 尺寸0.177" 長(zhǎng) x 0.126" 寬（4.50mm x 3.20mm）
  • 高度 - 安裝（最大值）-
  • 厚度（最大值）0.086"（2.18mm）
  • 引線(xiàn)間距-
  • 引線(xiàn)樣式-