GA1812A562FXAAT31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,專(zhuān)為高效率�(kāi)�(guān)�(yīng)用設(shè)�(jì)。該器件采用先�(jìn)的半�(dǎo)體工藝制�,具有低�(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)特性,適合用于各種電源�(zhuǎn)換和電機(jī)�(qū)�(dòng)�(chǎng)��
其封裝形式為行業(yè)�(biāo)�(zhǔn)的表面貼裝類(lèi)�,能夠有效降低系�(tǒng)熱阻并提高散熱性能。此�,GA1812A562FXAAT31G 還具備良好的靜電防護(hù)能力,確保在�(fù)雜電磁環(huán)境下的可靠��
型號(hào):GA1812A562FXAAT31G
�(lèi)型:N-Channel MOSFET
最大漏源電�(Vds)�60V
最大柵源電�(Vgs):�20V
連續(xù)漏極電流(Id)�12A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�4.5mΩ (典型�,@ Vgs=10V)
總功�(Ptot)�75W
工作溫度范圍(Top)�-55°C � +175°C
封裝:TO-263 (D2PAK)
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,減少導(dǎo)通損耗,提升整體效率�
2. 快速開(kāi)�(guān)速度,支持高頻操�,適用于�(kāi)�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器等應(yīng)��
3. 高雪崩能量能�,增�(qiáng)器件在異常情況下的耐受��
4. �(nèi)置防反接二極�,簡(jiǎn)化電路設(shè)�(jì)并提供額外保�(hù)�
5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),綠色環(huán)��
6. �(yōu)化的熱性能�(shè)�(jì),改善長(zhǎng)�(shí)間運(yùn)行時(shí)的穩(wěn)定��
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)中的主開(kāi)�(guān)元件�
2. DC-DC �(zhuǎn)換器中的同步整流或降�/升壓控制�
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率�(jí)�(kāi)�(guān)�
4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載切��
5. 太陽(yáng)能逆變器及電池管理系統(tǒng)中的功率管理模塊�
6. 各類(lèi)消費(fèi)電子�(chǎn)品中的高效功率轉(zhuǎn)換解決方��
GA1812A562FXAAQ31G
IRFZ44N
FDP5800
STP12NF06L