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GA1812A562FXAAT31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/6/4 14:46:01 查看 閱讀�7

GA1812A562FXAAT31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,專(zhuān)為高效率�(kāi)�(guān)�(yīng)用設(shè)�(jì)。該器件采用先�(jìn)的半�(dǎo)體工藝制�,具有低�(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)特性,適合用于各種電源�(zhuǎn)換和電機(jī)�(qū)�(dòng)�(chǎng)��
  其封裝形式為行業(yè)�(biāo)�(zhǔn)的表面貼裝類(lèi)�,能夠有效降低系�(tǒng)熱阻并提高散熱性能。此�,GA1812A562FXAAT31G 還具備良好的靜電防護(hù)能力,確保在�(fù)雜電磁環(huán)境下的可靠��

參數(shù)

型號(hào):GA1812A562FXAAT31G
  �(lèi)型:N-Channel MOSFET
  最大漏源電�(Vds)�60V
  最大柵源電�(Vgs):�20V
  連續(xù)漏極電流(Id)�12A
  �(dǎo)通電�(Rds(on))�4.5mΩ (典型�,@ Vgs=10V)
  總功�(Ptot)�75W
  工作溫度范圍(Top)�-55°C � +175°C
  封裝:TO-263 (D2PAK)

特�

1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,減少導(dǎo)通損耗,提升整體效率�
  2. 快速開(kāi)�(guān)速度,支持高頻操�,適用于�(kāi)�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器等應(yīng)��
  3. 高雪崩能量能�,增�(qiáng)器件在異常情況下的耐受��
  4. �(nèi)置防反接二極�,簡(jiǎn)化電路設(shè)�(jì)并提供額外保�(hù)�
  5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),綠色環(huán)��
  6. �(yōu)化的熱性能�(shè)�(jì),改善長(zhǎng)�(shí)間運(yùn)行時(shí)的穩(wěn)定��

�(yīng)�

1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)中的主開(kāi)�(guān)元件�
  2. DC-DC �(zhuǎn)換器中的同步整流或降�/升壓控制�
  3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率�(jí)�(kāi)�(guān)�
  4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載切��
  5. 太陽(yáng)能逆變器及電池管理系統(tǒng)中的功率管理模塊�
  6. 各類(lèi)消費(fèi)電子�(chǎn)品中的高效功率轉(zhuǎn)換解決方��

替代型號(hào)

GA1812A562FXAAQ31G
  IRFZ44N
  FDP5800
  STP12NF06L

ga1812a562fxaat31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容5600 pF
  • 容差±1%
  • 電壓 - 額定50V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車(chē)�(jí)
  • 故障�-
  • 安裝�(lèi)�表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1812�4532 公制�
  • 大小 / 尺寸0.177" �(zhǎng) x 0.126" 寬(4.50mm x 3.20mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.086"�2.18mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-