GA1812A561FBGAT31G 是一款高功率密度、高效的氮化鎵(GaN)基�(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET�,適用于高頻�(kāi)�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器以及其他需要高效能和快速開(kāi)�(guān)的應(yīng)用場(chǎng)�。該器件采用先�(jìn)的氮化鎵技�(shù),具備低�(dǎo)通電阻和高頻率工作能力,顯著提升了系�(tǒng)效率和功率密��
相比傳統(tǒng)的硅基MOSFET,此款GaN FET具有更低的寄生電感和電容,能夠支持更高的�(kāi)�(guān)頻率和更小的體積�(shè)�(jì),非常適合現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)小型化和高效化的追求�
型號(hào):GA1812A561FBGAT31G
類型:增�(qiáng)型氮化鎵�(chǎng)效應(yīng)晶體管(eGaN FET�
最大漏源電壓(Vds):600V
最大連續(xù)漏極電流(Id):31A
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):40mΩ
柵極�(qū)�(dòng)電壓(Vgs(th)):1.5V~6V
輸入電容(Ciss):1570pF
輸出電容(Coss):75pF
反向恢復(fù)電荷(Qrr):9nC
�(jié)溫范圍(Tj):-55℃~+150�
封裝形式:LGA-8
GA1812A561FBGAT31G 的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,可有效降低傳導(dǎo)損耗,提升整體效率�
2. 高擊穿電壓(600V),確保在高壓應(yīng)用場(chǎng)景下的可靠性和�(wěn)定��
3. 快速開(kāi)�(guān)速度和低柵極電荷(Qg),使器件能夠在高頻條件下實(shí)�(xiàn)高效�(yùn)��
4. �(yōu)化的熱性能�(shè)�(jì),能夠承受更高的功率密度,同�(shí)減少散熱需��
5. 更小的封裝尺寸(LGA-8�,有助于縮小PCB面積并簡(jiǎn)化布局�(shè)�(jì)�
6. 支持硬開(kāi)�(guān)和軟�(kāi)�(guān)�?fù)浣Y(jié)�(gòu),適�(yīng)多種電路架構(gòu)需��
7. �(nèi)置保�(hù)�(jī)制,如過(guò)流保�(hù)和短路耐受能力,提高了系統(tǒng)的安全性�
該芯片廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS�,例如服�(wù)器電�、通信電源和工�(yè)電源��
2. DC-DC�(zhuǎn)換器,用于電�(dòng)汽車充電�(shè)�、太�(yáng)能逆變器以及電池管理系�(tǒng)�
3. 圖形處理器(GPU)和中央處理器(CPU)供電模�,提供高效率和快速動(dòng)�(tài)響應(yīng)�
4. LED�(qū)�(dòng)器,為大功率LED照明系統(tǒng)提供�(wěn)定的電流控制�
5. �(wú)線充電發(fā)射端和接收端電路,滿足高頻率和高效能量傳�?shù)男枨�?br> 6. 脈沖寬度�(diào)制(PWM)控制器,用于電�(jī)�(qū)�(dòng)和其他功率調(diào)節(jié)�(chǎng)��
GAN063-650WSA
GAN064-650WSB
TX GaN HEMT 650V