GA1812A560FXGAR31G 是一款高性能、低功耗的功率 MOSFET 芯片,主要用于開(kāi)�(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及�(fù)載開(kāi)�(guān)等應(yīng)用領(lǐng)�。該芯片采用了先�(jìn)的制造工藝,在保證高效率的同�(shí)具備出色的熱性能和可靠�。其封裝形式� TO-263(D2PAK),能夠提供良好的散熱性能以適�(yīng)各種�(yán)苛的工作�(huán)��
這款 MOSFET 的導(dǎo)通電阻較低,從而減少導(dǎo)通損�,提高整體系�(tǒng)效率。同�(shí),它還具有快速的�(kāi)�(guān)速度和低柵極電荷特�,非常適合高頻開(kāi)�(guān)�(yīng)用�
型號(hào):GA1812A560FXGAR31G
�(lèi)型:N溝道 MOSFET
VDS(漏源極電壓):60V
RDS(on)(導(dǎo)通電阻)�4.5mΩ(典型�,@VGS=10V�
ID(連續(xù)漏極電流):78A
Qg(柵極電荷)�39nC
fsw(最大開(kāi)�(guān)頻率):1MHz
封裝:TO-263(D2PAK�
工作溫度范圍�-55� � +175�
GA1812A560FXGAR31G 具有以下顯著特性:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(RDS(on)�,可有效降低傳導(dǎo)損耗,提高系統(tǒng)效率�
2. 快速開(kāi)�(guān)速度和低柵極電荷(Qg�,適合高頻應(yīng)��
3. 高額定電流能力(ID�,適用于大功率應(yīng)用場(chǎng)��
4. 寬泛的工作溫度范�,能夠在極端�(huán)境下�(wěn)定運(yùn)��
5. 封裝�(shè)�(jì)�(yōu)化了散熱性能,有助于提升整體系統(tǒng)的可靠��
6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無(wú)鉛材��
GA1812A560FXGAR31G 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)中的主�(kāi)�(guān)管或同步整流��
2. DC-DC �(zhuǎn)換器中的功率�(kāi)�(guān)�
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率�(jí)�(kāi)�(guān)�
4. 電池管理系統(tǒng)中的�(fù)載開(kāi)�(guān)�
5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制模��
6. 汽車(chē)電子系統(tǒng)中的電源管理單元�
由于其優(yōu)異的性能,該器件在需要高效率和高可靠性的�(chǎng)景中表現(xiàn)出色�
GA1812A560FXGAR21G
IRF540N
FDP5500
STP75NF06L