GA1812A560FBGAR31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,專為高效率、高頻開�(guān)�(yīng)用而設(shè)�(jì)。該芯片采用先�(jìn)的溝槽式 MOSFET 技�(shù)制�,具有低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特性,適合用于 DC-DC �(zhuǎn)換器、AC-DC 電源適配器、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及 LED 照明等領(lǐng)��
該器件封裝形式為 FBGA(細(xì)間距球柵陣列),有助于提高熱性能和電氣性能,同�(shí)減小整體解決方案尺寸。此�,其�(nèi)置的保護(hù)功能可增�(qiáng)系統(tǒng)的可靠性和�(wěn)定��
型號(hào):GA1812A560FBGAR31G
類型:N-Channel Power MOSFET
封裝形式:FBGA
最大漏源電�(Vds)�60V
最大柵源電�(Vgs):�20V
最大連續(xù)漏極電流(Id)�45A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�3.5mΩ
總柵極電�(Qg)�75nC
輸入電容(Ciss)�3000pF
工作溫度范圍�-55� � +175�
存儲(chǔ)溫度范圍�-65� � +150�
GA1812A560FBGAR31G 的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電� (Rds(on)) 可減少傳�(dǎo)損�,從而提升系�(tǒng)效率�
2. 快速開�(guān)速度得益于低柵極電荷 (Qg),適用于高頻操作�(huán)��
3. 高額定電流支持大功率�(yīng)��
4. �(nèi)� ESD 保護(hù)功能以提高器件可靠��
5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且無鉛�
6. 封裝緊湊,便于在空間受限的設(shè)�(jì)中使��
7. 良好的熱性能,確保長�(shí)間穩(wěn)定運(yùn)��
該芯片廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)模式電源 (SMPS) � DC-DC �(zhuǎn)換器�
2. AC-DC 電源適配器及充電��
3. 汽車電子系統(tǒng)中的�(fù)載切換和電機(jī)控制�
4. 工業(yè)�(shè)備中的逆變器和變頻��
5. 高效 LED 照明�(qū)�(dòng)電路�
6. 電池管理系統(tǒng)的充放電控制�
7. 各類便攜式電子設(shè)備的電源管理單元 (PMU)�
GA1812A560FBGAR29G
IRF540N
FDP5800
AON6810