GA1812A392KBLAR31G 是一款基于氮化鎵 (GaN) 技�(shù)的高效率功率晶體�,適用于高頻和高功率�(yīng)用場(chǎng)景。該型號(hào)屬于增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體� (eGaN FET),采用先�(jìn)的封裝技�(shù)以優(yōu)化散熱性能,并提供出色的開(kāi)�(guān)特性和低導(dǎo)通電�。其主要�(yīng)用領(lǐng)域包括電源轉(zhuǎn)換、無(wú)線充�、激光雷�(dá)以及各類工業(yè)和消�(fèi)電子�(shè)備�
這款 GaN 晶體管相比傳�(tǒng)硅基 MOSFET 具有更高的工作頻�、更低的�(dǎo)通損耗和更快的開(kāi)�(guān)速度,從而能夠顯著提高系�(tǒng)的整體效率并減小解決方案尺寸�
最大漏源電壓:600V
連續(xù)漏極電流�30A
�(dǎo)通電阻:5mΩ
柵極電荷�75nC
�(kāi)�(guān)頻率:高�(dá) 5MHz
�(jié)溫范圍:-40°C � +175°C
封裝形式:TO-247-4L
GA1812A392KBLAR31G 的核心優(yōu)�(shì)在于其卓越的高頻性能和低功耗特性。首�,由于采用了氮化鎵材�,該器件具備比傳�(tǒng)硅基器件更低的寄生電容和�(dǎo)通電�,使得其能夠在高頻條件下�(shí)�(xiàn)更高效的能量�(zhuǎn)換�
其次,該晶體管支持非常高的開(kāi)�(guān)頻率(最高可�(dá) 5MHz�,這使其非常適合用于高� DC-DC �(zhuǎn)換器、LLC 諧振�(zhuǎn)換器以及其他要求快速響�(yīng)的應(yīng)用場(chǎng)��
此外,該器件� TO-247-4L 封裝�(shè)�(jì)�(jìn)一步增�(qiáng)了散熱性能,確保即使在高負(fù)載條件下也能保持�(wěn)定運(yùn)�。其寬廣的工作溫度范圍(� -40°C � +175°C)也使其成為各種惡劣�(huán)境下的理想選擇�
該芯片廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 高頻 AC-DC � DC-DC �(zhuǎn)換器
2. 工業(yè)�(jí)電機(jī)�(qū)�(dòng)系統(tǒng)
3. 太陽(yáng)能逆變�
4. �(wú)線充電模�
5. 激光雷�(dá) (LiDAR) 系統(tǒng)
6. �(shù)�(jù)中心電源供應(yīng)單元 (PSU)
7. 快速充電適配器及其他消�(fèi)類電子產(chǎn)�
GA1812A392KBLAR29G
GA1812A392KBLAR33G
IRG4PH48UD
STGG60N60HD