GA1812A391KXBAR31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)和DC-DC�(zhuǎn)換器等場(chǎng)�。該芯片采用了先�(jìn)的溝槽式MOSFET技�(shù),具有低�(dǎo)通電阻和高效率的特點(diǎn),能夠顯著降低系�(tǒng)能耗并提高整體性能�
該器件主要以N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管形式存在,通過控制柵極電壓�(shí)�(xiàn)�(duì)漏極電流的有效管�,適用于中高功率�(yīng)用場(chǎng)��
型號(hào):GA1812A391KXBAR31G
類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
封裝形式:TO-247
最大漏源電�(Vds)�650V
最大柵源電�(Vgs):�20V
連續(xù)漏極電流(Id)�18A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�0.12Ω
功�(Ptot)�200W
工作溫度范圍�-55� � +175�
�(jié)�(Tj)�175�
GA1812A391KXBAR31G具備以下顯著特性:
1. 高耐壓能力:其650V的最大漏源電壓使其能夠在高壓�(huán)境下�(wěn)定運(yùn)�,適合工�(yè)和汽車領(lǐng)域應(yīng)��
2. 超低�(dǎo)通電阻:僅為0.12Ω的導(dǎo)通電阻有效降低了功率損耗,提升了系�(tǒng)的整體效��
3. 快速開�(guān)速度:由于采用了先�(jìn)的制造工�,該器件支持快速開�(guān),減少開�(guān)損��
4. �(qiáng)大的散熱能力:TO-247封裝�(shè)�(jì)提供了良好的熱傳�(dǎo)性能,確保在高負(fù)載情況下也能保持較低的工作溫��
5. 寬泛的工作溫度范圍:�-55℃到+175�,適�(yīng)各種極端�(huán)境下的使用需求�
6. �(wěn)定性高:即使在高頻或高電流條件�,仍能保持優(yōu)異的性能表現(xiàn)�
這款芯片廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS):包括AC-DC適配�、不間斷電源(UPS)��
2. 工業(yè)電機(jī)�(qū)�(dòng):用于各類工�(yè)�(shè)備中的高效電�(jī)控制系統(tǒng)�
3. DC-DC�(zhuǎn)換器:為通信�(shè)�、服�(wù)器和其他電子系統(tǒng)提供高效的電壓調(diào)節(jié)功能�
4. 太陽能逆變器:助力可再生能源領(lǐng)域的高效能量�(zhuǎn)��
5. 汽車電子:適用于混合�(dòng)力汽車和電動(dòng)汽車的動(dòng)力管理系�(tǒng)�
6. 其他需要高性能功率切換的應(yīng)用場(chǎng)��
IRFP260N
FDP18N65
STP18NM65W