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GA1812A123GXCAR31G 發(fā)布時間 時間�2025/5/29 10:35:33 查看 閱讀�9

GA1812A123GXCAR31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要應用于高效率電源轉�、電機驅動和負載開關等領域。該器件采用先進的制造工�,具有低導通電阻、快速開關速度和出色的熱性能�
  該芯片屬于N溝道增強型場效應晶體管,廣泛適用于工�(yè)控制、汽車電子以及消費類電子產品中需要高效能功率管理的場��

參數(shù)

類型:N-Channel MOSFET
  導通電阻(Rds(on)):1.5mΩ(典型值,Vgs=10V�
  漏源極耐壓(Vds):60V
  柵極閾值電壓(Vgs(th)):2V~4V
  連續(xù)漏極電流(Id):120A(Ta=25°C�
  總功耗(Ptot):150W
  工作溫度范圍�-55°C�175°C
  封裝形式:TO-247

特�

GA1812A123GXCAR31G具備以下顯著特性:
  1. 極低的導通電�,有助于減少傳導損耗并提高系統(tǒng)效率�
  2. 快速的開關速度,能夠支持高頻應用,降低開關損��
  3. 高電流承載能力,適合大功率應用場��
  4. �(yōu)秀的熱�(wěn)定性,確保在高溫環(huán)境下也能可靠運行�
  5. 符合RoHS標準,環(huán)保且安全�
  6. 內置ESD保護功能,增強了芯片的抗靜電能力�

應用

這款功率MOSFET適用于廣泛的電力電子應用領域�
  1. 開關電源(SMPS)中的同步整流器�
  2. DC-DC轉換器及降壓/升壓電路�
  3. 電動工具和家用電器的電機驅動�
  4. 汽車電子系統(tǒng)中的負載切換與電池管理�
  5. 工業(yè)自動化設備中的功率控制模��
  6. 高效能源管理解決方案,如太陽能逆變器和不間斷電源(UPS��

ga1812a123gxcar31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • 價格在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • 產品狀�(tài)在售
  • 電容0.012 μF
  • 容差±2%
  • 電壓 - 額定200V
  • 溫度系數(shù)C0G,NP0
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級AEC-Q200
  • 應用汽車�
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1812�4532 公制�
  • 大小 / 尺寸0.177" � x 0.126" 寬(4.50mm x 3.20mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.086"�2.18mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-