GA1812A122GXLAR31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于開�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器以及電機(jī)�(qū)�(dòng)等應(yīng)用領(lǐng)�。該器件采用了先�(jìn)的制造工�,具有較低的�(dǎo)通電阻和較高的開�(guān)速度,能夠顯著提高系�(tǒng)效率并降低能��
該型�(hào)屬于溝道增強(qiáng)型MOSFET,適用于需要高效率和低損耗的�(yīng)用場��
類型:N溝道 MOSFET
最大漏源電壓Vds�60V
最大柵源電壓Vgs:�20V
連續(xù)漏極電流Id�45A
�(dǎo)通電阻Rds(on)�1.5mΩ
總功耗Ptot�125W
工作溫度范圍Tj�-55� to +175�
封裝形式:TO-247
GA1812A122GXLAR31G 具有以下主要特性:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(1.5mΩ),有效降低了導(dǎo)通損�,提升了整體效率�
2. 快速開�(guān)性能,適合高頻開�(guān)�(yīng)用,減少開關(guān)損��
3. 高電流承載能力(45A�,能夠滿足大功率�(fù)載需��
4. 寬工作溫度范圍(-55℃至+175℃),適�(yīng)各種惡劣�(huán)境條��
5. �(nèi)置ESD保護(hù)電路,增�(qiáng)了芯片的抗靜電能��
6. 封裝形式為TO-247,便于散熱和安裝,適合工�(yè)�(jí)�(yīng)��
該芯片廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)設(shè)�(jì),用于提高效率和減小體積�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器中作為主開關(guān)管或同步整流管�
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率開關(guān)元件�
4. 工業(yè)控制�(shè)備中的功率調(diào)節(jié)模塊�
5. 電動(dòng)汽車及混合動(dòng)力汽車中的電池管理系�(tǒng)(BMS)和電機(jī)控制��
6. 各類高功率密度逆變器和變頻器設(shè)�(jì)�
IRF540N
STP160N06
FDP16N60