GA1812A101FBGAT31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動和負(fù)載切換等領(lǐng)域。該器件采用了先進(jìn)的半導(dǎo)體制造工藝,具有低導(dǎo)通電阻和高開關(guān)速度的特點,能夠有效提升系統(tǒng)的效率和穩(wěn)定性。
這款功率MOSFET為N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管,其優(yōu)化的設(shè)計使得它在高頻應(yīng)用中表現(xiàn)出色,并能顯著降低系統(tǒng)功耗。
最大漏源電壓:100V
連續(xù)漏極電流:40A
導(dǎo)通電阻:1.5mΩ
柵極電荷:60nC
輸入電容:2000pF
工作溫度范圍:-55℃至175℃
GA1812A101FBGAT31G具備以下關(guān)鍵特性:
1. 極低的導(dǎo)通電阻,有助于減少導(dǎo)通損耗。
2. 高速開關(guān)性能,適合高頻應(yīng)用環(huán)境。
3. 較高的雪崩能力和魯棒性,可確保在異常條件下可靠運行。
4. 小型化封裝設(shè)計,節(jié)省PCB空間。
5. 寬工作溫度范圍,適應(yīng)各種惡劣環(huán)境下的應(yīng)用需求。
6. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保無鉛。
該芯片主要應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
1. 開關(guān)模式電源(SMPS)中的功率轉(zhuǎn)換。
2. DC/DC轉(zhuǎn)換器和逆變器的核心元件。
3. 電動工具、家用電器及工業(yè)設(shè)備中的電機(jī)驅(qū)動。
4. 負(fù)載開關(guān)和保護(hù)電路中的快速切換元件。
5. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的充放電控制。
6. 汽車電子中的啟動控制與負(fù)載均衡。
GA1812A101FBGAT32G, IRF840, STP10NK60Z