GA1210Y824MBJAR31G 是一種用于功率管理的 MOSFET 芯片,主要應(yīng)用于高效率電源轉(zhuǎn)換和電機�(qū)動領(lǐng)�。該芯片采用先�(jìn)的制造工�,具備低�(dǎo)通電�、快速開�(guān)速度和出色的熱性能等特性,能夠滿足�(xiàn)代電子設(shè)備對高性能功率器件的需��
此型號屬于增強型 N 溝道 MOSFET,廣泛適用于開關(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器、負(fù)載開�(guān)以及電機控制等場��
類型:N溝道 MOSFET
電壓等級�100V
最大漏極電流:12A
�(dǎo)通電阻(典型值)�8.2mΩ
柵極電荷�37nC
總電容(輸入電容):1050pF
功耗:10W
封裝形式:TO-263-3L
GA1210Y824MBJAR31G 具備以下顯著特性:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,有助于減少傳導(dǎo)損耗并提高系統(tǒng)效率�
2. 快速的開關(guān)速度降低了開�(guān)損�,適合高頻應(yīng)��
3. �(yōu)化的柵極電荷�(shè)�,使得驅(qū)動更加簡便且高效�
4. 高電流承載能力,能夠在大功率場景下穩(wěn)定工��
5. 封裝堅固耐用,散熱性能�(yōu)越,確保在高溫環(huán)境下也能保持良好的運行狀�(tài)�
6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無鉛材�,適合綠色電子產(chǎn)品開�(fā)�
該芯片適用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)及適配器設(shè)計�
2. DC-DC �(zhuǎn)換器和降�/升壓電路�
3. 電機�(qū)動與控制電路�
4. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的保�(hù)電路�
5. 各類�(fù)載開�(guān)和保�(hù)電路�(shè)��
6. 工業(yè)自動化和家電中的功率管理單元�
GA1210Y824MBJAR31G 的可能替代型號包� IRFZ44N、STP12NM60 � FDP15U20AE�