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GA1210Y824MBJAR31G 發(fā)布時間 時間�2025/6/6 19:46:12 查看 閱讀�5

GA1210Y824MBJAR31G 是一種用于功率管理的 MOSFET 芯片,主要應(yīng)用于高效率電源轉(zhuǎn)換和電機�(qū)動領(lǐng)�。該芯片采用先�(jìn)的制造工�,具備低�(dǎo)通電�、快速開�(guān)速度和出色的熱性能等特性,能夠滿足�(xiàn)代電子設(shè)備對高性能功率器件的需��
  此型號屬于增強型 N 溝道 MOSFET,廣泛適用于開關(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器、負(fù)載開�(guān)以及電機控制等場��

參數(shù)

類型:N溝道 MOSFET
  電壓等級�100V
  最大漏極電流:12A
  �(dǎo)通電阻(典型值)�8.2mΩ
  柵極電荷�37nC
  總電容(輸入電容):1050pF
  功耗:10W
  封裝形式:TO-263-3L

特�

GA1210Y824MBJAR31G 具備以下顯著特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,有助于減少傳導(dǎo)損耗并提高系統(tǒng)效率�
  2. 快速的開關(guān)速度降低了開�(guān)損�,適合高頻應(yīng)��
  3. �(yōu)化的柵極電荷�(shè)�,使得驅(qū)動更加簡便且高效�
  4. 高電流承載能力,能夠在大功率場景下穩(wěn)定工��
  5. 封裝堅固耐用,散熱性能�(yōu)越,確保在高溫環(huán)境下也能保持良好的運行狀�(tài)�
  6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無鉛材�,適合綠色電子產(chǎn)品開�(fā)�

�(yīng)�

該芯片適用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS)及適配器設(shè)計�
  2. DC-DC �(zhuǎn)換器和降�/升壓電路�
  3. 電機�(qū)動與控制電路�
  4. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的保�(hù)電路�
  5. 各類�(fù)載開�(guān)和保�(hù)電路�(shè)��
  6. 工業(yè)自動化和家電中的功率管理單元�

替代型號

GA1210Y824MBJAR31G 的可能替代型號包� IRFZ44N、STP12NM60 � FDP15U20AE�

ga1210y824mbjar31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • 價格在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容0.82 μF
  • 容差±20%
  • 電壓 - 額定16V
  • 溫度系數(shù)X7R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1210�3225 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" � x 0.098" 寬(3.20mm x 2.50mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"�1.94mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-