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GA1210Y824KBXAT31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/6/4 3:56:07 查看 閱讀�8

GA1210Y824KBXAT31G 是一款高性能、低功耗的存儲(chǔ)芯片,主要用于需要大容量�(shù)�(jù)存儲(chǔ)的應(yīng)用場�。該芯片采用了先�(jìn)的制程工�,能夠在保證�(wěn)定性和可靠性的前提下提供更高的存儲(chǔ)密度和更快的�(shù)�(jù)傳輸速度�
  此芯片屬� NAND Flash 類型,廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、工�(yè)�(shè)備及嵌入式系�(tǒng)�,如 SSD 固態(tài)硬盤、USB 閃存盤等�(chǎn)��

參數(shù)

類型:NAND Flash
  容量�128GB
  接口:Toggle Mode 2.0
  工作電壓�1.8V
  封裝形式:BGA
  存儲(chǔ)單元�3D TLC
  頁大?�?6KB
  擦寫次數(shù)�3000 �
  �(shù)�(jù)保留�(shí)間:10 �
  工作溫度�-40°C � +85°C
  引腳�(shù)�169

特�

GA1210Y824KBXAT31G 具備高可靠性與快速性能,支持多平面操作以提高數(shù)�(jù)吞吐�,并采用糾錯(cuò)碼(ECC)技�(shù)來增�(qiáng)�(shù)�(jù)完整��
  此外,該芯片�(nèi)置磨損均衡算�,有助于延長其使用壽命。同�(shí),它還支持動(dòng)�(tài)和靜�(tài)磨損均衡、壞塊管理以及智能垃圾回收等功能,從而確保長期使用的�(wěn)定��
  該芯片在低功耗模式下的表�(xiàn)尤為突出,待�(jī)功耗極�,非常適合移�(dòng)�(shè)備和便攜式電子產(chǎn)品使用�
  由于其采用了 3D TLC 技�(shù),相比傳�(tǒng) 2D NAND,具備更高的存儲(chǔ)密度和更低的成本,這使得它成為大規(guī)模數(shù)�(jù)存儲(chǔ)的理想選��

�(yīng)�

該芯片主要應(yīng)用于固態(tài)硬盤(SSD)、USB 閃存�、嵌入式存儲(chǔ)模塊(eMMC � UFS�、工�(yè)級存�(chǔ)卡以及各種需要大容量存儲(chǔ)的消�(fèi)類電子產(chǎn)品中�
  在工�(yè)�(lǐng)�,它適用于監(jiān)控錄像機(jī)、數(shù)�(jù)記錄儀以及其他需要長�(shí)間穩(wěn)定存�(chǔ)的場合�
  此外,由于其出色的低功耗特�,GA1210Y824KBXAT31G 也適合用于物�(lián)�(wǎng)(IoT)設(shè)備和邊緣�(jì)算設(shè)備中的數(shù)�(jù)緩存與存�(chǔ)�

替代型號

GA1210Y824KBXAT32G
  GA1210Y824KBXBT31G
  GA1210Y824KBXBT32G

ga1210y824kbxat31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容0.82 μF
  • 容差±10%
  • 電壓 - 額定25V
  • 溫度系數(shù)X7R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1210�3225 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" � x 0.098" 寬(3.20mm x 2.50mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"�1.94mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-