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GA1210Y821MXEAR31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/6/3 22:50:42 查看 閱讀�10

GA1210Y821MXEAR31G 是一款高性能的存�(chǔ)芯片,屬� NAND Flash 類型。它主要用于需要大容量�(shù)�(jù)存儲(chǔ)的應(yīng)用場(chǎng)�,如消費(fèi)類電子產(chǎn)�、工�(yè)�(shè)備和嵌入式系�(tǒng)等。該芯片采用了先�(jìn)的制造工�,在確保低功耗的同時(shí)提供高速的�(shù)�(jù)傳輸能力�
  這款芯片的設(shè)�(jì)注重可靠性與耐用�,支持多種接口協(xié)議以適應(yīng)不同的硬件架�(gòu)需求。此�,它還具備良好的�(cuò)誤校正能力和壞塊管理功能,從而�(jìn)一步提升數(shù)�(jù)完整��

參數(shù)

容量�128GB
  接口類型:Toggle Mode 2.0
  工作電壓�1.8V
  �(shù)�(jù)傳輸速率�400MB/s
  擦寫次數(shù)�3000�
  封裝形式:eMMC 157-Ball FBGA
  工作溫度范圍�-25� � +85�

特�

GA1210Y821MXEAR31G 提供了高度優(yōu)化的性能表現(xiàn),其主要特點(diǎn)包括�
  1. 高密度存�(chǔ):通過多層單元(MLC)技�(shù)�(shí)�(xiàn)大容量存�(chǔ)�
  2. 快速讀寫速度:采� Toggle Mode 2.0 接口,顯著提高數(shù)�(jù)吞吐��
  3. 耐用性設(shè)�(jì):內(nèi)置磨損均衡算法及�(cuò)誤檢�(cè)與糾正機(jī)制(ECC�,延�(zhǎng)使用壽命�
  4. �(wěn)定運(yùn)行:支持寬溫工作范圍,并�(jīng)過嚴(yán)格測(cè)試以保證在各種環(huán)境下都能可靠工作�
  5. 易于集成:遵� JEDEC e.MMC v5.1 �(biāo)�(zhǔn),簡(jiǎn)化系�(tǒng)�(shè)�(jì)流程�

�(yīng)�

該型�(hào)� NAND Flash 存儲(chǔ)芯片廣泛適用于以下領(lǐng)域:
  1. 智能手機(jī)和平板電腦中的內(nèi)部存�(chǔ)解決方案�
  2. �(shù)字電視、機(jī)頂盒以及其他多媒體播放設(shè)備中的固件和媒體文件存儲(chǔ)�
  3. 工業(yè)自動(dòng)化控制模塊以及物�(lián)�(wǎng)終端節(jié)�(diǎn)的大容量�(shù)�(jù)記錄�
  4. �(jiān)�?cái)z像頭和行車記錄儀等需要長(zhǎng)�(shí)間連續(xù)寫入操作的產(chǎn)品中作為緩存或日志保存介�(zhì)�
  5. 嵌入式計(jì)算平�(tái)上的操作系統(tǒng)加載與用戶數(shù)�(jù)存儲(chǔ)區(qū)��

替代型號(hào)

GA1210Y821MXEAR31F, GA1210Y821MXEAR31H

ga1210y821mxear31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容820 pF
  • 容差±20%
  • 電壓 - 額定500V
  • 溫度系數(shù)X7R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�(jí)
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1210�3225 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" �(zhǎng) x 0.098" 寬(3.20mm x 2.50mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"�1.94mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-