類(lèi)型：N溝道MOSFET
　　最大漏源電壓Vds：60V
　　最大柵源電壓Vgs：±20V
　　持續(xù)漏極電流Id：100A
　　導(dǎo)通電阻Rds(on)：4mΩ
　　柵極電荷Qg：50nC
　　總功耗Ptot：100W
　　工作溫度范圍Tj：-55℃至+175℃

GA1210Y684KBAAR31G 具有以下顯著特點(diǎn)：
　　1. 極低的導(dǎo)通電阻 (Rds(on))，可有效減少導(dǎo)通損耗。
　　2. 高電流處理能力，支持高達(dá) 100A 的連續(xù)漏極電流。
　　3. 快速開(kāi)關(guān)性能，能夠適應(yīng)高頻應(yīng)用需求。
　　4. 強(qiáng)大的熱穩(wěn)定性，適用于高溫環(huán)境下的長(zhǎng)時(shí)間運(yùn)行。
　　5. 緊湊的封裝形式，有助于節(jié)省 PCB 空間。
　　6. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保且易于集成到現(xiàn)代電子設(shè)備中。

這款功率 MOSFET 主要用于以下領(lǐng)域：
　　1. 開(kāi)關(guān)電源中的主開(kāi)關(guān)器件。
　　2. 各類(lèi) DC-DC 轉(zhuǎn)換器的核心元件。
　　3. 電動(dòng)工具及家用電器中的電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路。
　　4. 新能源汽車(chē)的電池管理系統(tǒng) (BMS) 和逆變器模塊。
　　5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載切換控制。
　　6. 高效 LED 驅(qū)動(dòng)器和其他功率管理單元。

IRF3205, SI4490DY-T1-E3, FDP15N60E