GA1210Y684JBXAR31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,適用于高效�、高頻率開關(guān)電源及電機驅(qū)動應(yīng)用。該器件采用了先進的半導體制造工�,具有低導通電阻和快速開�(guān)速度的特�,能夠顯著降低功耗并提升系統(tǒng)性能�
該芯片主要應(yīng)用于消費電子、工�(yè)控制以及通信�(shè)備等�(lǐng)域,其卓越的電氣特性和可靠性使其成為眾多設(shè)計工程師的理想選��
型號:GA1210Y684JBXAR31G
類型:N-Channel MOSFET
最大漏源電壓:60V
最大柵源電壓:±20V
持續(xù)漏極電流�30A
導通電阻(典型值)�4mΩ
柵極電荷�50nC
開關(guān)速度:超快恢�
封裝形式:TO-220
工作溫度范圍�-55℃至+150�
GA1210Y684JBXAR31G具備以下顯著特性:
1. 極低的導通電阻,有效減少導通損��
2. 高速開�(guān)能力,支持高頻工作環(huán)��
3. 良好的熱�(wěn)定性,能夠在極端溫度條件下保持�(wěn)定性能�
4. 強大的浪涌電流承受能�,確保在異常情況下仍能正常運��
5. 具備�(yōu)異的抗電磁干擾能�,適合復雜電磁環(huán)境中的應(yīng)用�
6. 符合RoHS標準,環(huán)保且安全可靠�
這款功率MOSFET廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)和直流-直流�(zhuǎn)換器�
2. 電動工具和家用電器中的電機驅(qū)��
3. 工業(yè)自動化設(shè)備中的負載切��
4. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的保護電路�
5. 通信�(shè)備中的電源管理模��
6. 汽車電子中的各類�(qū)動和控制電路�
GA1210Y684JBXAR29G
IRFZ44N
FDP5570
STP30NF06L