GA1210Y683MXXAR31G 是一款高性能� MOSFET 功率晶體�,主要應(yīng)用于開關(guān)電源、電機驅(qū)動和 DC-DC �(zhuǎn)換器等領(lǐng)�。該器件采用先進的制程技�(shù)制造,具有低導(dǎo)通電�、高效率和快速開�(guān)特性,能夠顯著降低功率損耗并提高系統(tǒng)性能�
這款 MOSFET 屬于增強� N 漚道場效�(yīng)晶體�,其�(shè)計優(yōu)化了動態(tài)性能和熱性能,非常適合要求高效能和緊湊設(shè)計的�(yīng)用場��
類型:N溝道 MOSFET
封裝:TO-252 (DPAK)
最大漏源電�(Vds)�60V
最大柵源電�(Vgs):�20V
最大連續(xù)漏電�(Id)�75A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�2.8mΩ(典型值,� Vgs=10V 時)
總功�(Ptot)�76W
工作溫度范圍(Ta)�-55°C � +175°C
柵極電荷(Qg)�104nC(典型值)
反向恢復(fù)時間(trr)�28ns(典型值)
GA1210Y683MXXAR31G 具有以下顯著特點�
1. 極低的導(dǎo)通電�,可有效減少傳導(dǎo)損�,提高整體系�(tǒng)效率�
2. 高速開�(guān)能力,適合高頻應(yīng)用環(huán)�,如開關(guān)電源和電機控制器�
3. 強化了散熱性能,能夠在高溫條件下穩(wěn)定運行�
4. 柵極電荷較低,有助于降低�(qū)動損耗�
5. 提供強大的過流能力和魯棒�,確保在惡劣�(huán)境下也能可靠工作�
6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且滿足國際法規(guī)要求�
� MOSFET 廣泛用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS) � AC-DC �(zhuǎn)換器中的同步整流�
2. 電動工具、家用電器和工業(yè)�(shè)備中的電機驅(qū)��
3. DC-DC �(zhuǎn)換器及降�/升壓電路�
4. 太陽能逆變器和電池管理系統(tǒng)(BMS)�
5. 電動汽車和混合動力汽車中的功率轉(zhuǎn)換模��
6. 各種需要高效功率開�(guān)的應(yīng)用場��
GA1210Y683MXXBR30G, IRF7846TRPBF, FDP5500NL