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GA1210Y683MXXAR31G 發(fā)布時間 時間�2025/5/30 13:58:39 查看 閱讀�11

GA1210Y683MXXAR31G 是一款高性能� MOSFET 功率晶體�,主要應(yīng)用于開關(guān)電源、電機驅(qū)動和 DC-DC �(zhuǎn)換器等領(lǐng)�。該器件采用先進的制程技�(shù)制造,具有低導(dǎo)通電�、高效率和快速開�(guān)特性,能夠顯著降低功率損耗并提高系統(tǒng)性能�
  這款 MOSFET 屬于增強� N 漚道場效�(yīng)晶體�,其�(shè)計優(yōu)化了動態(tài)性能和熱性能,非常適合要求高效能和緊湊設(shè)計的�(yīng)用場��

參數(shù)

類型:N溝道 MOSFET
  封裝:TO-252 (DPAK)
  最大漏源電�(Vds)�60V
  最大柵源電�(Vgs):�20V
  最大連續(xù)漏電�(Id)�75A
  �(dǎo)通電�(Rds(on))�2.8mΩ(典型值,� Vgs=10V 時)
  總功�(Ptot)�76W
  工作溫度范圍(Ta)�-55°C � +175°C
  柵極電荷(Qg)�104nC(典型值)
  反向恢復(fù)時間(trr)�28ns(典型值)

特�

GA1210Y683MXXAR31G 具有以下顯著特點�
  1. 極低的導(dǎo)通電�,可有效減少傳導(dǎo)損�,提高整體系�(tǒng)效率�
  2. 高速開�(guān)能力,適合高頻應(yīng)用環(huán)�,如開關(guān)電源和電機控制器�
  3. 強化了散熱性能,能夠在高溫條件下穩(wěn)定運行�
  4. 柵極電荷較低,有助于降低�(qū)動損耗�
  5. 提供強大的過流能力和魯棒�,確保在惡劣�(huán)境下也能可靠工作�
  6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且滿足國際法規(guī)要求�

�(yīng)�

� MOSFET 廣泛用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)電源(SMPS) � AC-DC �(zhuǎn)換器中的同步整流�
  2. 電動工具、家用電器和工業(yè)�(shè)備中的電機驅(qū)��
  3. DC-DC �(zhuǎn)換器及降�/升壓電路�
  4. 太陽能逆變器和電池管理系統(tǒng)(BMS)�
  5. 電動汽車和混合動力汽車中的功率轉(zhuǎn)換模��
  6. 各種需要高效功率開�(guān)的應(yīng)用場��

替代型號

GA1210Y683MXXBR30G, IRF7846TRPBF, FDP5500NL

ga1210y683mxxar31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • 價格在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容0.068 μF
  • 容差±20%
  • 電壓 - 額定25V
  • 溫度系數(shù)X7R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1210�3225 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" � x 0.098" 寬(3.20mm x 2.50mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"�1.94mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-