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GA1210Y683KBCAR31G 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/5/29 13:26:32 查看 閱讀:6

GA1210Y683KBCAR31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,通常用于電源管理、開(kāi)關(guān)模式電源(SMPS)和電機(jī)驅(qū)動(dòng)等應(yīng)用。該器件采用了先進(jìn)的制造工藝,具有低導(dǎo)通電阻(Rds(on))和快速開(kāi)關(guān)特性,能夠有效降低能耗并提升系統(tǒng)效率。
  該型號(hào)屬于N溝道增強(qiáng)型MOSFET系列,適合高頻和高效率的應(yīng)用場(chǎng)景,廣泛應(yīng)用于工業(yè)控制、消費(fèi)電子以及通信設(shè)備等領(lǐng)域。

參數(shù)

類(lèi)型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
  最大漏源電壓(Vds):60V
  最大柵源電壓(Vgs):±20V
  連續(xù)漏極電流(Id):12A
  導(dǎo)通電阻(Rds(on)):4.5mΩ
  總功耗(Ptot):75W
  結(jié)溫范圍(Tj):-55℃ to +175℃
  封裝形式:TO-247

特性

GA1210Y683KBCAR31G具有以下顯著特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),在典型工作條件下可以有效減少導(dǎo)通損耗,從而提高整體系統(tǒng)效率。
  2. 快速開(kāi)關(guān)性能,有助于降低開(kāi)關(guān)損耗并在高頻工作時(shí)保持高效。
  3. 高雪崩能量能力,增強(qiáng)了器件在異常工作條件下的魯棒性和可靠性。
  4. 熱穩(wěn)定性強(qiáng),能夠在較寬的溫度范圍內(nèi)穩(wěn)定工作。
  5. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且適合現(xiàn)代電子產(chǎn)品的要求。

應(yīng)用

該器件適用于多種應(yīng)用領(lǐng)域,包括但不限于:
  1. 開(kāi)關(guān)模式電源(SMPS)中的主開(kāi)關(guān)或同步整流元件。
  2. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路,用于控制直流無(wú)刷電機(jī)(BLDC)或步進(jìn)電機(jī)。
  3. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載開(kāi)關(guān)或保護(hù)電路。
  4. 充電器和適配器中的功率轉(zhuǎn)換模塊。
  5. 逆變器和不間斷電源(UPS)系統(tǒng)中的關(guān)鍵功率元件。

替代型號(hào)

IRF540N, FQP17N60, AOD510

ga1210y683kbcar31g參數(shù)

  • 現(xiàn)有數(shù)量0現(xiàn)貨
  • 價(jià)格在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR)
  • 產(chǎn)品狀態(tài)在售
  • 電容0.068 μF
  • 容差±10%
  • 電壓 - 額定200V
  • 溫度系數(shù)X7R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • 應(yīng)用汽車(chē)級(jí)
  • 故障率-
  • 安裝類(lèi)型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 長(zhǎng) x 0.098" 寬(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"(1.94mm)
  • 引線間距-
  • 引線樣式-