GA1210Y683KBCAR31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,通常用于電源管理、開(kāi)關(guān)模式電源(SMPS)和電機(jī)驅(qū)動(dòng)等應(yīng)用。該器件采用了先進(jìn)的制造工藝,具有低導(dǎo)通電阻(Rds(on))和快速開(kāi)關(guān)特性,能夠有效降低能耗并提升系統(tǒng)效率。
該型號(hào)屬于N溝道增強(qiáng)型MOSFET系列,適合高頻和高效率的應(yīng)用場(chǎng)景,廣泛應(yīng)用于工業(yè)控制、消費(fèi)電子以及通信設(shè)備等領(lǐng)域。
類(lèi)型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
最大漏源電壓(Vds):60V
最大柵源電壓(Vgs):±20V
連續(xù)漏極電流(Id):12A
導(dǎo)通電阻(Rds(on)):4.5mΩ
總功耗(Ptot):75W
結(jié)溫范圍(Tj):-55℃ to +175℃
封裝形式:TO-247
GA1210Y683KBCAR31G具有以下顯著特性:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),在典型工作條件下可以有效減少導(dǎo)通損耗,從而提高整體系統(tǒng)效率。
2. 快速開(kāi)關(guān)性能,有助于降低開(kāi)關(guān)損耗并在高頻工作時(shí)保持高效。
3. 高雪崩能量能力,增強(qiáng)了器件在異常工作條件下的魯棒性和可靠性。
4. 熱穩(wěn)定性強(qiáng),能夠在較寬的溫度范圍內(nèi)穩(wěn)定工作。
5. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且適合現(xiàn)代電子產(chǎn)品的要求。
該器件適用于多種應(yīng)用領(lǐng)域,包括但不限于:
1. 開(kāi)關(guān)模式電源(SMPS)中的主開(kāi)關(guān)或同步整流元件。
2. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路,用于控制直流無(wú)刷電機(jī)(BLDC)或步進(jìn)電機(jī)。
3. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載開(kāi)關(guān)或保護(hù)電路。
4. 充電器和適配器中的功率轉(zhuǎn)換模塊。
5. 逆變器和不間斷電源(UPS)系統(tǒng)中的關(guān)鍵功率元件。
IRF540N, FQP17N60, AOD510