GA1210Y683JBXAT31G 是一款高性能的功率MOSFET器件,專為高頻開�(guān)�(yīng)用設(shè)�(jì)。該器件采用先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工�,具有較低的�(dǎo)通電阻和較高的電流承載能�,適合于開關(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)等場景中的高效能量轉(zhuǎn)換�
型號:GA1210Y683JBXAT31G
類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
封裝:TO-247
最大漏源電�(Vds)�1200V
最大柵源電�(Vgs):�20V
最大連續(xù)漏極電流(Id)�20A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�150mΩ(在Vgs=10V�(shí)�
總功�(Ptot)�250W
工作溫度范圍(Ta)�-55°C�+175°C
熱阻(�(jié)到殼)�0.6°C/W
GA1210Y683JBXAT31G 具有以下顯著特點(diǎn)�
1. 極低的導(dǎo)通電�,在高負(fù)載條件下可有效減少功率損耗�
2. 快速開�(guān)性能,適合高頻應(yīng)用環(huán)境,有助于提高整體系�(tǒng)效率�
3. 高耐壓能力,能夠承受高�(dá)1200V的漏源電�,適用于高壓工業(yè)場景�
4. �(nèi)置反向恢�(fù)二極�,�(jìn)一步優(yōu)化了開關(guān)性能并降低了電磁干擾(EMI)�
5. 良好的熱�(wěn)定�,能夠在極端溫度范圍�(nèi)�(wěn)定運(yùn)行,確保長時(shí)間工作的可靠��
6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且易于集成到各種現(xiàn)代電子設(shè)�(jì)中�
這款功率MOSFET適用于多種電力電子應(yīng)用場�,包括但不限于以下領(lǐng)域:
1. 開關(guān)模式電源(SMPS),用于高效的電能�(zhuǎn)換與管理�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器,特別是在需要高效率和小尺寸解決方案的場��
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路,如步�(jìn)電機(jī)或無刷直流電�(jī)的控��
4. 太陽能逆變器和儲能系統(tǒng)中的功率�(diào)節(jié)模塊�
5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的電源管理和�(fù)載切換功��
6. 電動(dòng)汽車(EV)和混合動(dòng)力汽�(HEV)的車載充電器及電池管理系�(tǒng)(BMS)�
IRFP260N
STW12NM120H
FDP16N120C
CSD19536KCS