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GA1210Y683JBXAT31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/6/6 19:42:39 查看 閱讀�2

GA1210Y683JBXAT31G 是一款高性能的功率MOSFET器件,專為高頻開�(guān)�(yīng)用設(shè)�(jì)。該器件采用先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工�,具有較低的�(dǎo)通電阻和較高的電流承載能�,適合于開關(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)等場景中的高效能量轉(zhuǎn)換�

參數(shù)

型號:GA1210Y683JBXAT31G
  類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
  封裝:TO-247
  最大漏源電�(Vds)�1200V
  最大柵源電�(Vgs):�20V
  最大連續(xù)漏極電流(Id)�20A
  �(dǎo)通電�(Rds(on))�150mΩ(在Vgs=10V�(shí)�
  總功�(Ptot)�250W
  工作溫度范圍(Ta)�-55°C�+175°C
  熱阻(�(jié)到殼)�0.6°C/W

特�

GA1210Y683JBXAT31G 具有以下顯著特點(diǎn)�
  1. 極低的導(dǎo)通電�,在高負(fù)載條件下可有效減少功率損耗�
  2. 快速開�(guān)性能,適合高頻應(yīng)用環(huán)境,有助于提高整體系�(tǒng)效率�
  3. 高耐壓能力,能夠承受高�(dá)1200V的漏源電�,適用于高壓工業(yè)場景�
  4. �(nèi)置反向恢�(fù)二極�,�(jìn)一步優(yōu)化了開關(guān)性能并降低了電磁干擾(EMI)�
  5. 良好的熱�(wěn)定�,能夠在極端溫度范圍�(nèi)�(wěn)定運(yùn)行,確保長時(shí)間工作的可靠��
  6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且易于集成到各種現(xiàn)代電子設(shè)�(jì)中�

�(yīng)�

這款功率MOSFET適用于多種電力電子應(yīng)用場�,包括但不限于以下領(lǐng)域:
  1. 開關(guān)模式電源(SMPS),用于高效的電能�(zhuǎn)換與管理�
  2. DC-DC�(zhuǎn)換器,特別是在需要高效率和小尺寸解決方案的場��
  3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路,如步�(jìn)電機(jī)或無刷直流電�(jī)的控��
  4. 太陽能逆變器和儲能系統(tǒng)中的功率�(diào)節(jié)模塊�
  5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的電源管理和�(fù)載切換功��
  6. 電動(dòng)汽車(EV)和混合動(dòng)力汽�(HEV)的車載充電器及電池管理系�(tǒng)(BMS)�

替代型號

IRFP260N
  STW12NM120H
  FDP16N120C
  CSD19536KCS

ga1210y683jbxat31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容0.068 μF
  • 容差±5%
  • 電壓 - 額定25V
  • 溫度系數(shù)X7R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1210�3225 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" � x 0.098" 寬(3.20mm x 2.50mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"�1.94mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-