GA1210Y564JBJAT31G 是一款高性能的功率MOSFET芯片,專為高效率、高頻開�(guān)�(yīng)用而設(shè)�(jì)。該器件采用先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工�,具有低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特性,適用于各種電源管理場(chǎng)�,如DC-DC�(zhuǎn)換器、AC-DC適配器以及電�(jī)�(qū)�(dòng)�。其封裝形式支持高效的散熱性能,確保在高功率負(fù)載下的穩(wěn)定運(yùn)行�
該型�(hào)的具體命名規(guī)則可能與制造商特定編碼相關(guān),建議結(jié)合官方數(shù)�(jù)手冊(cè)�(jìn)一步確�(rèn)詳細(xì)參數(shù)�
類型:功率MOSFET
最大漏源電壓:60V
最大柵極源極電壓:±20V
連續(xù)漏極電流�30A
�(dǎo)通電阻(典型值)�4mΩ
柵極電荷(典型值)�85nC
開關(guān)速度:快�
工作溫度范圍�-55℃至+175�
GA1210Y564JBJAT31G 具有以下顯著特點(diǎn)�
1. 極低的導(dǎo)通電�,有助于降低功率損�,提高系�(tǒng)效率�
2. 快速的開關(guān)速度,適合高頻應(yīng)用場(chǎng)��
3. 高電流承載能力,能夠滿足大功率設(shè)備的需��
4. �(yōu)秀的熱�(wěn)定性,即使在極端溫度條件下也能保持可靠性能�
5. 封裝�(shè)�(jì)�(yōu)化了散熱性能,延�(zhǎng)了產(chǎn)品的使用壽命�
6. 高度一致性的電氣參數(shù),便于大批量生產(chǎn)中的品質(zhì)控制�
該芯片廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器
3. 電動(dòng)工具和家用電器中的電�(jī)�(qū)�(dòng)
4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的電源管理模�
5. 電動(dòng)汽車及混合動(dòng)力汽車的電池管理系統(tǒng)(BMS�
6. 可再生能源系�(tǒng)的逆變器和�(zhuǎn)換器
7. 通信基站的高效電源解決方�
IRF3710
FDP5570
STP30NF06L