GA1210Y563MXBAR31G是一款高性能的功率MOSFET芯片,廣泛應(yīng)用于�(kāi)�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)和DC-DC�(zhuǎn)換器等領(lǐng)�。該芯片采用先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電阻、高�(kāi)�(guān)速度和優(yōu)異的熱性能等特�,適用于需要高效能和高可靠性的�(yīng)用場(chǎng)��
這款MOSFET芯片通常用于處理大電流負(fù)載,能夠顯著降低功耗并提升系統(tǒng)的整體效��
類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
額定電壓�120V
額定電流�40A
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):4.5mΩ
柵極電荷�85nC
輸入電容�1500pF
最大功耗:200W
工作溫度范圍�-55� � +175�
GA1210Y563MXBAR31G具有以下主要特性:
1. 極低的導(dǎo)通電�,能夠有效減少傳�(dǎo)損�,提高系�(tǒng)效率�
2. 高速開(kāi)�(guān)能力,適合高頻應(yīng)用場(chǎng)��
3. 出色的熱�(wěn)定�,能夠在極端溫度條件下保持良好的性能�
4. �(qiáng)大的雪崩能力和抗靜電能力,確保器件在異常情況下的可靠��
5. 小型化封裝設(shè)�(jì),節(jié)省電路板空間,便于集成到緊湊型設(shè)�(jì)��
該芯片廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)中的功率級(jí)控制�
2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)器中的逆變器模��
3. DC-DC�(zhuǎn)換器中的同步整流�
4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載切��
5. 電動(dòng)汽車和混合動(dòng)力汽車中的電池管理系�(tǒng)(BMS��
6. 其他需要高性能功率�(kāi)�(guān)的應(yīng)用場(chǎng)景�
IRF1405ZPBF, FDP16N120ACP, STP10NK120Z