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GA1210Y563MBAAR31G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/6/4 3:59:51 查看 閱讀�11

GA1210Y563MBAAR31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、逆變器等電力電子�(lǐng)�。該器件采用先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電�、高效率和高可靠性的特點(diǎn),適用于需要高效能量轉(zhuǎn)換的�(chǎng)景�
  這款芯片主要� N 溝道增強(qiáng)� MOSFET 的形式存�,通過柵極電壓控制�(shí)�(xiàn)�(duì)電流的開�(guān)功能。其出色的電氣性能使其成為許多工業(yè)�(yīng)用中的理想選��

參數(shù)

最大漏源電壓:1200V
  連續(xù)漏極電流�25A
  �(dǎo)通電阻:0.07Ω
  柵極電荷�80nC
  總電容:300pF
  工作溫度范圍�-55� � +175�

特�

GA1210Y563MBAAR31G 具有以下顯著特性:
  1. 高擊穿電�,可承受高達(dá) 1200V 的漏源電壓,確保在高壓環(huán)境下的穩(wěn)定運(yùn)��
  2. 極低的導(dǎo)通電阻(0.07Ω),能夠有效降低功率損耗并提升系統(tǒng)效率�
  3. 快速開�(guān)能力,得益于較小的柵極電荷和總電�,適合高頻應(yīng)用�
  4. 寬泛的工作溫度范圍(-55� � +175℃),適�(yīng)各種惡劣�(huán)境條件�
  5. 高可靠性設(shè)�(jì),具備出色的抗電磁干擾能力和�(zhǎng)期穩(wěn)定性�
  這些特性使 GA1210Y563MBAAR31G 成為眾多高電�、大電流�(yīng)用場(chǎng)景的理想選擇�

�(yīng)�

該芯片的�(yīng)用領(lǐng)域包括但不限于以下方面:
  1. 開關(guān)電源 (SMPS) 中的主開�(guān)�,用于高效能量轉(zhuǎn)��
  2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)系統(tǒng)中的功率�(jí),實(shí)�(xiàn)精確的電流控��
  3. 太陽(yáng)能逆變器中的功率模塊,助力清潔能源的高效利��
  4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的電源管理單�,提供穩(wěn)定的電力支持�
  5. 電動(dòng)汽車 (EV) 和混合動(dòng)力汽� (HEV) 的車載充電器及驅(qū)�(dòng)系統(tǒng)�
  GA1210Y563MBAAR31G 憑借其�(yōu)越的性能,在這些�(lǐng)域中展現(xiàn)出了卓越的價(jià)��

替代型號(hào)

IRFP260N
  FDP15N120
  CSD19536KCS

ga1210y563mbaar31g參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • �(jià)�在售
  • 系列GA
  • 包裝卷帶(TR�
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 電容0.056 μF
  • 容差±20%
  • 電壓 - 額定50V
  • 溫度系數(shù)X7R
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C
  • 特�-
  • 等級(jí)AEC-Q200
  • �(yīng)�汽車�(jí)
  • 故障�-
  • 安裝類型表面貼裝,MLCC
  • 封裝/外殼1210�3225 公制�
  • 大小 / 尺寸0.126" �(zhǎng) x 0.098" 寬(3.20mm x 2.50mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"�1.94mm�
  • 引線間距-
  • 引線樣式-