GA1210Y563MBAAR31G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、逆變器等電力電子�(lǐng)�。該器件采用先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電�、高效率和高可靠性的特點(diǎn),適用于需要高效能量轉(zhuǎn)換的�(chǎng)景�
這款芯片主要� N 溝道增強(qiáng)� MOSFET 的形式存�,通過柵極電壓控制�(shí)�(xiàn)�(duì)電流的開�(guān)功能。其出色的電氣性能使其成為許多工業(yè)�(yīng)用中的理想選��
最大漏源電壓:1200V
連續(xù)漏極電流�25A
�(dǎo)通電阻:0.07Ω
柵極電荷�80nC
總電容:300pF
工作溫度范圍�-55� � +175�
GA1210Y563MBAAR31G 具有以下顯著特性:
1. 高擊穿電�,可承受高達(dá) 1200V 的漏源電壓,確保在高壓環(huán)境下的穩(wěn)定運(yùn)��
2. 極低的導(dǎo)通電阻(0.07Ω),能夠有效降低功率損耗并提升系統(tǒng)效率�
3. 快速開�(guān)能力,得益于較小的柵極電荷和總電�,適合高頻應(yīng)用�
4. 寬泛的工作溫度范圍(-55� � +175℃),適�(yīng)各種惡劣�(huán)境條件�
5. 高可靠性設(shè)�(jì),具備出色的抗電磁干擾能力和�(zhǎng)期穩(wěn)定性�
這些特性使 GA1210Y563MBAAR31G 成為眾多高電�、大電流�(yīng)用場(chǎng)景的理想選擇�
該芯片的�(yīng)用領(lǐng)域包括但不限于以下方面:
1. 開關(guān)電源 (SMPS) 中的主開�(guān)�,用于高效能量轉(zhuǎn)��
2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)系統(tǒng)中的功率�(jí),實(shí)�(xiàn)精確的電流控��
3. 太陽(yáng)能逆變器中的功率模塊,助力清潔能源的高效利��
4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的電源管理單�,提供穩(wěn)定的電力支持�
5. 電動(dòng)汽車 (EV) 和混合動(dòng)力汽� (HEV) 的車載充電器及驅(qū)�(dòng)系統(tǒng)�
GA1210Y563MBAAR31G 憑借其�(yōu)越的性能,在這些�(lǐng)域中展現(xiàn)出了卓越的價(jià)��
IRFP260N
FDP15N120
CSD19536KCS